讲述CPLD和FPGA的结构，对初学者很有用。
上传时间： 2013-08-26
上传用户：奔跑的雪糕
节点是网络系统的基本控制单元，论文提出了一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案，它能够提高单节点并行处理能力，其模块化结构增强了节点的可靠性。
上传时间： 2013-08-31
上传用户：shanxiliuxu
华为内部的proteus教程。十分详细PDF格式！
上传时间： 2013-10-07
上传用户：浩子GG
笔者以Freescale的S08系列8位微处理器MC9S08SL8为核心，为某电动汽车设计了一款仪表盘信号转换器，实现了电机转速检测、与电机控制器的LIN通信、原车仪表信号模拟等功能。利用芯片内部资源特性设计了其硬件结构及电路，根据仪表盘的原理和工作方式设计了软件流程，装车试验运行稳定，有很高的实用价值。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：lili123
华为内部模拟电子电路教程
上传时间： 2013-12-09
上传用户：ly1994
模数转换器ADC0809引脚及内部框图
上传时间： 2013-11-19
上传用户：lingfei
华为内部资料，希望对你们有帮助
标签： 华为
上传时间： 2013-11-05
上传用户：refent
产品概要： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定义IO接口。 产品描述： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，还可以通过IQ选件实现其它任意调制输出。GR6710既可程控发生点频信号和扫频信号，也支持内部调制和外部调制。GR6710可安装于3U/6U背板上工作，也可以独立供电工作，使用灵活。该模块可用于通信测试、校准信号源。 技术指标 频率特性 频率范围：9kHz～3GHz，500KHz以下指标不保证 频率分辨率：3Hz，1Hz（载频<10MHz时） 频率稳定度：晶振保证 电平特性 电平范围：-110dBm～+10dBm 电平分辨率：0.5dB 电平准确度：≤±2.5dB@POWER<-90dBm，≤±1.5dB@POWER>-90dBm 输出关断功能 频谱纯度 谐波：9KHz～200MHz≥20dBc，200MHz～3GHz≥30dBc 非谐波：≤80dBc典型值（偏移10kHz，载频<1GHz），≥68dBc（偏移10kHz，其它载频）， 锁相环小数分频杂散≥64dBc（偏移10kHz） SSB相噪： ≤-98dBc/Hz 偏移20kHz（500MHz） ≤-102dBc/Hz 偏移20kHz（1GHz） ≤-90dBc/Hz 偏移20kHz（>1GHz） 调制输出：调幅AM、调频FM、脉冲CW，其它调制输出可以通过IQ选件实现 调制源：内、外 参考时钟输入和输出：10MHz，14dBm 控制接口：CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485、自定义GPIO 射频和时钟连接器：SMA-K 电源接口：背板供电、独立供电 可选 电源及其功耗：+5V DC、±12V DC（纹波≤2%输出电压），≤38W 结构尺寸：3U高度4槽宽度（100mm×160mm×82mm，不含连接器部分） 工作环境：商业级温度和工业级温度 可选，振动、冲击、可靠性、MTBF 测控软件功能：射频信号发生、调制信号输出、跳频/扫频信号发生、支持WindowsXP系统 成功案例: 通信综测仪器内部的信号源模块 无线电监测设备内部的信号校准模块 无线电通信测试仪器的调制信号发生
上传时间： 2013-11-13
上传用户：s363994250
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
