LED电路保护电路
上传时间： 2013-11-08
上传用户：cxl274287265
运算放大器的保护
上传时间： 2014-01-08
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静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：二十八号
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间： 2014-01-25
上传用户：hz07104032
IGBT保护电路
上传时间： 2014-12-23
上传用户：lhw888
ESD 静电放电给你的电子产品带来致命的危害不仅降低了产品的可靠性增加了维修成本而且不符合欧洲共同体规定的工业标准EN61000-4-2 就会影响产品在欧洲的销售所以电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑ESD 保护电路本文将讨论ESD保护电路的几种方法.
上传时间： 2013-11-24
上传用户：zxc23456789
阐述了平台产生倒台的基本原理和某型惯性平台的测角原理，提出了防倒台保护电路的设计思想，针对惯性平台倒台导致的严重后果，给出了具体的设计过程，实验验证了保护电路的有效性。
上传时间： 2013-10-08
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由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS器件不受损伤。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：yupw24
最新的HDMI I.3（高清晰度多媒体接口1.3）标准把以前的HDMI 1.0 - 1.2标准所规定的数据传送速度提高了一倍，每对差动信号线的速度达到3.4 Gbps。由于数据传送速度这么高，要求电路板的电容小，确保信号的素质很好，这给电路板的设计带来了新的挑战。在解决这个问题，实现可靠的静电放电（ESD）保护时，这点尤其重要。在HDMI系统设计中增加ESD保护时，如果选用合适的办法，就可以把问题简化。泰科电子的ESD和过电流保护参考设计，符合3.4 GHz的HDMI 1.3规范，达到IEC 61000-4-2关于ESD保护的要求，并且可以优化电路板的空间，所有这些可以帮助设计人员减少风险。本文探讨在HDMI 1.3系统中设计ESD保护的要求和容易犯的错误。 概述 在高清晰度视频系统中增加ESD保护，提出了许多复杂而且令人为难的问题，这会增加成本，会延长产品上市的时间。人们在选择ESD保护方案时，往往是根据解决这个问题的办法实现起来是否容易。不过，最简单的办法也许不可能提供充分的ESD保护，或者在电路板上占用的空间不能让人最满意。有些时候，在开始时看上去是解决ESD保护问题的最好办法，到了后来，会发现需要使用多种电路板材来保证时基信号达到要求。在实现一个充分的静电放电保护时，往往需要在尺寸、静电放电保护的性能以及实现起来是否容易这几方面进行折衷。一直到现在仍然是这样。
上传时间： 2013-10-22
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结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间： 2013-11-14
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