IGBT器件和模块的发展
大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性薄片工艺,110μm (1200V), 60 μm (600V)小管芯,15年来管芯的面积减少了2/3大芯片,4”-5...
大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性薄片工艺,110μm (1200V), 60 μm (600V)小管芯,15年来管芯的面积减少了2/3大芯片,4”-5...
利用Fabry-Perot 腔的选频特性,考虑与光纤的低损耗窗口相一致和价格等因素,以价廉的1300nm 波段的LED 作为光源,实现了PZT 对Fabry-Perot 腔的正弦调制;对甲烷气...
适用于汽车电子系统设计与优化的功率分配方案,提供高效能、低损耗的电源管理技术,广泛应用于新能源汽车及智能驾驶系统中。支持多路供电与负载均衡,提升整车电气性能与可靠性。...
MEMS 在射频(RF)应用领域表现出的低功耗、低损耗和高数据率的优越特性为RF 无线通信系统及其微小型化提供新的技术手段。在产品设计的初期阶段,RFMEMS 封装的设计考虑是降低成本、提高产品合格率...
介绍了一种12 GHz附近的高温超导薄膜微波表面电阻Rs测试系统。该系统采用低损耗高介电常数的蓝宝石,构成工作在TE011+δ谐振模式的介质谐振器,在77 K时,利用测量介质谐振器的Q值得到单片高温超...