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IGBT器件和模块的发展

  • 资源大小:221 K
  • 上传时间: 2023-06-24
  • 上传用户:默默
  • 资源积分:2 下载积分
  • 标      签: IGBT 器件

资 源 简 介

大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性
薄片工艺,110μm (1200V), 60 μm (600V)
小管芯,15年来管芯的面积减少了2/3
大芯片,4”-5

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