利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
上传时间： 2013-11-17
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提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能满足CSTN-LCD系统低功耗、高转换速率性能要求。
上传时间： 2013-11-18
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电子学名词1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。2、 电阻的温度系数----表示物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加量与原来的电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。3、 电导----物体传导电流的本领叫做电导。在直流电路里，电导的数值就是电阻值的倒数，以字母ɡ表示，单位为欧姆。4、 电导率----又叫电导系数，也是衡量物质导电性能好坏的一个物理量。大小在数值上是电阻率的倒数，以字母γ表示，单位为米/欧姆*毫米平方。5、 电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差，叫做电动势或者简称电势。用字母E表示，单位为伏特。6、 自感----当闭合回路中的电流发生变化时，则由这电流所产生的穿过回路本身磁通也发生变化，因此在回路中也将感应电动势，这现象称为自感现象，这种感应电动势叫自感电动势。7、 互感----如果有两只线圈互相靠近，则其中第一只线圈中电流所产生的磁通有一部分与第二只线圈相环链。当第一线圈中电流发生变化时，则其与第二只线圈环链的磁通也发生变化，在第二只线圈中产生感应电动势。这种现象叫做互感现象。8、 电感----自感与互感的统称。9、 感抗----交流电流过具有电感的电路时，电感有阻碍交流电流过的作用，这种作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流电流过具有电容的电路时，电容有阻碍交流电流过的作用，这种作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脉动电流----大小随时间变化而方向不变的电流，叫做脉动电流。12、振幅----交变电流在一个周期内出现的最大值叫振幅。13、平均值----交变电流的平均值是指在某段时间内流过电路的总电荷与该段时间的比值。正弦量的平均值通常指正半周内的平均值，它与振幅值的关系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在两个相同的电阻器件中，分别通过直流电和交流电，如果经过同一时间，它们发出的热量相等，那么就把此直流电的大小作为此交流电的有效值。正弦电流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流电的瞬时功率不是一个恒定值，功率在一个周期内的平均值叫做有功功率，它是指在电路中电阻部分所消耗的功率，以字母P表示，单位瓦特。16、视在功率----在具有电阻和电抗的电路内，电压与电流的乘积叫做视在功率，用字母Ps来表示，单位为瓦特。17、无功功率----在具有电感和电容的电路里，这些储能元件在半周期的时间里把电源能量变成磁场（或电场）的能量存起来，在另半周期的时间里对已存的磁场（或电场）能量送还给电源。它们只是与电源进行能量交换，并没有真正消耗能量。我们把与电源交换能量的速率的振幅值叫做无功功率。用字母Q表示，单位为芝。
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上传时间： 2013-11-23
上传用户：zhoujunzhen
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：lijinchuan
为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径
上传时间： 2013-11-10
上传用户：909000580
文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路，该电路结构小巧（20 mm ×13 mm ，厚度为0.6 mm），功能可靠、稳定。放大器芯片采用3SK318YB，该芯片具有高增益、低噪声等特点。电路主要用于超高频段微波通信，电路拓扑结构采用反馈型、稳定衰减器法和低端增益衰减法进行设计。生产成品并经测试，该产品性价比高，完全达到了设计要求
上传时间： 2013-11-03
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数字与模拟电路设计技巧IC与LSI的功能大幅提升使得高压电路与电力电路除外，几乎所有的电路都是由半导体组件所构成，虽然半导体组件高速、高频化时会有EMI的困扰，不过为了充分发挥半导体组件应有的性能，电路板设计与封装技术仍具有决定性的影响。 模拟与数字技术的融合由于IC与LSI半导体本身的高速化，同时为了使机器达到正常动作的目的，因此技术上的跨越竞争越来越激烈。虽然构成系统的电路未必有clock设计，但是毫无疑问的是系统的可靠度是建立在电子组件的选用、封装技术、电路设计与成本，以及如何防止噪讯的产生与噪讯外漏等综合考虑。机器小型化、高速化、多功能化使得低频/高频、大功率信号/小功率信号、高输出阻抗/低输出阻抗、大电流/小电流、模拟/数字电路，经常出现在同一个高封装密度电路板，设计者身处如此的环境必需面对前所未有的设计思维挑战，例如高稳定性电路与吵杂(noisy)性电路为邻时，如果未将噪讯入侵高稳定性电路的对策视为设计重点，事后反复的设计变更往往成为无解的梦魇。模拟电路与高速数字电路混合设计也是如此，假设微小模拟信号增幅后再将full scale 5V的模拟信号，利用10bit A/D转换器转换成数字信号，由于分割幅宽祇有4.9mV，因此要正确读取该电压level并非易事，结果造成10bit以上的A/D转换器面临无法顺利运作的窘境。另一典型实例是使用示波器量测某数字电路基板两点相隔10cm的ground电位，理论上ground电位应该是零，然而实际上却可观测到4.9mV数倍甚至数十倍的脉冲噪讯(pulse noise)，如果该电位差是由模拟与数字混合电路的grand所造成的话，要测得4.9 mV的信号根本是不可能的事情，也就是说为了使模拟与数字混合电路顺利动作，必需在封装与电路设计有相对的对策，尤其是数字电路switching时，ground vance noise不会入侵analogue ground的防护对策，同时还需充分检讨各电路产生的电流回路(route)与电流大小，依此结果排除各种可能的干扰因素。以上介绍的实例都是设计模拟与数字混合电路时经常遇到的瓶颈，如果是设计12bit以上A/D转换器时，它的困难度会更加复杂。
上传时间： 2013-11-16
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今天，电视机与视讯转换盒应用中的大多数调谐器采用的都是传统单变换MOPLL概念。这种调谐器既能处理模拟电视讯号也能处理数字电视讯号，或是同时处理这两种电视讯号(即所谓的混合调谐器)。在设计这种调谐器时需考虑的关键因素包括低成本、低功耗、小尺寸以及对外部组件的选择。本文将介绍如何用英飞凌的MOPLL调谐芯片TUA6039-2或其影像版TUA6037实现超低成本调谐器参考设计。这种单芯片ULC调谐器整合了射频和中频电路，可工作在5V或3.3V，功耗可降低34%。设计采用一块单层PCB，进一步降低了系统成本，同时能处理DVB-T/PAL/SECAM、ISDB-T/NTSC和ATSC/NTSC等混合讯号，可支持几乎全球所有地区标准。图1为采用TUA6039-2/TUA6037设计单变换调谐器架构图。该调谐器实际上不仅是一个射频调谐器，也是一个half NIM，因为它包括了中频模块。射频输入讯号透过一个简单的高通滤波器加上中频与民间频段(CB)陷波器的组合电路进行分离。该设计没有采用PIN二极管进行频段切换，而是采用一个非常简单的三工电路进行频段切换。天线阻抗透过高感抗耦合电路变换至已调谐的输入电路。然后透过英飞凌的高增益半偏置MOSFET BF5030W对预选讯号进行放大。BG5120K双MOSFET可以用于两个VHF频段。在接下来的调谐后带通滤波器电路中，则进行信道选择和邻道与影像频率等多余讯号的抑制。前级追踪陷波器和带通滤波器的容性影像频率补偿电路就是专门用来抑制影像频率。
上传时间： 2013-11-19
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利用四分之三波长折叠微带线与四分之一波长微带线级联，并在输入端口引入四分之一波长短路线，设计出一种新型的超宽带功率分配器。采用奇偶模的方法进行理论分析，导出设计参数方程，并通过HFSS进行仿真优化。仿真和测量结果表明， 输入回波损耗从3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入损耗从2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，从9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。输出端口的回波损耗和隔离度从3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高频的带外抑制在14.2 GHz时达到20 dB。
上传时间： 2013-11-08
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针对振动能量采集器的输出功率过低不足以直接驱动无线传感器的问题，设计了振动自供能无线传感器的电源管理电路，根据调谐和阻抗变换原理对能量采集器进行了阻抗匹配，以最大功率对储能超级电容进行充电，对能量存储和电源管理电路的充放电特性进行了理论分析和实验验证。结果表明，该电路大幅度提高了采集器的输出功率和对储能超级电容充电的效率，当0.47 F超级电容电压达到0.6 V时，能量瞬间释放电路控制超级电容瞬间放电，成功驱动最大功耗为75 mW的无线传感器工作。
上传时间： 2013-10-14
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