光耦选型经典指南
标签： 光耦
上传时间： 2022-07-27
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闭环步进参数：主控芯片：航顺HK32F030C8T6驱动芯片：两颗东芝TB67H450（最大电流3.5A）编码器芯片：麦歌恩超高速零延时AMR编码器MT6816高速光耦：东芝双通道TLP2168工作电压：12-30V（推荐24V）工作电流：额定2A(42步进)2.5A（57步进）最大3.5A控制精度：小于0.08度电子齿轮：4、8、16、32（可任意设置）原理图：PCB：
上传时间： 2022-02-28
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在一般较低性能的三相电压源逆变器中， 各种与电流相关的性能控制， 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时， 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中， 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单， 成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器， 8脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2为TLP250 的内部结构简图， 表1 给出了其工作时的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 输入阈值电流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 电源电流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 电源电压（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 输出电流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 开关时间（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔离电压： 2500 Vpms（最小）。表2 给出了TLP250 的开关特性，表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。注： 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来稳定高增益线性放大器的工作， 提供的旁路作用失效会损坏开关性能， 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
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潮光内部整理资料
上传时间： 2013-10-28
上传用户：chenhr
潮光内部整理资料：高速触发器H11L1M
上传时间： 2013-11-24
上传用户：小火车啦啦啦
这几款均是达灵顿输出的光耦合器，但各有特色，下面对其进行一个简单的对比与说明，方便在使用的时候进行选型。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：kristycreasy
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上传时间： 2021-10-22
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一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器， 它提供标准接口并管理闪存， 使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。二． eMMC的优点eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash 芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有哪个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技术改朝换代，包括70 纳米演进至50 纳米，再演进至40 纳米或30 纳米制程技术，手机客户也都要重新设计， 但半导体产品每1 年制程技术都会推陈出新， 存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 颗MCP上的概念，逐渐风行起来。eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash 芯片和控制芯片设计成1 颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash 兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。闪存Flash 的制程和技术变化很快，特别是TLC 技术和制程下降到20nm阶段后，对Flash 的管理是个巨大挑战，使用eMMC产品，主芯片厂商和客户就无需关注Flash 内部的制成和产品变化，只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间。eMMC可以很好的解决对MLC 和TLC 的管理， ECC 除错机制(Error Correcting Code) 、区块管理(BlockManagement)、平均抹写储存区块技术 (Wear Leveling) 、区块管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心优点在于生产厂商可节省许多管理NAND Flash 芯片的时间，不必关心NAND Flash 芯片的制程技术演变和产品更新换代，也不必考虑到底是采用哪家的NAND Flash 闪存芯片，如此， eMMC可以加速产品上市的时间，保证产品的稳定性和一致性。
标签： emmc
上传时间： 2022-06-20
上传用户：jiabin
该源码是基于atmel公司的89C51SND1C的mp3解决方案，支持三星和东芝的NAND flash 上的fat12，fat16和fat32文件系统
标签： 66965389C 66965389 SND1 C51
上传时间： 2013-04-24
上传用户：JasonC
本文主要围绕车用CAN总线抗电磁干扰能力进行了研究。 首先，在在参考国内外相关研究资料的基础上，依据FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC电磁兼容标准、IS07637-3对非电源线的瞬态传导抗干扰测试标准和IS011452-4大电流注入(BCI)电磁兼容性标准，利用瑞士EMTEST公司的UCS-200M、CSW500D等设备，搭建了3个用于测试CAN总线抗干扰能力的实验平台。 在所搭建的测试平台上，着重从CAN总线通讯介质选择和CAN节点抗干扰设计两个方面进行了理论分析和对比实验研究，得出了当采用屏蔽双绞线和非屏蔽双绞线作为总线通讯介质时，影响其抗干扰能力的因素；当CAN总线节点采用的不同的物理层参数时，如光耦、共模线圈、磁珠、滤波电容、分裂端接电阻、不同的总线发送电平、不同的CAN收发器等，对CAN总线抗干扰能力的影响，给出了一些增强CAN节点电路抗干扰能力的建议及一种推荐电路。 最后提出了一种新的提高CAN总线抗干扰能力的方法，即通过把CAN总线的CANH和CANL数据线分别通过一个电阻连接到总线收发器的地和电源端，使总线的差分电平整体下拉，从而降低总线收发器对某些干扰引起的电平波动所产生的误判断以达到增强抗电磁干扰的目的。并在基于FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC电磁兼容标准所搭建的CAN总线测试平台上进行实验，验证了其有效性。
上传时间： 2013-06-19
上传用户：zhang469965156
