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https://www.eeworm.com/dl/571/20924.html
模拟电子
基于LMS算法与RLS算法的自适应滤波
自适应信号处理的理论和技术已经成为人们常用滤波和去噪技术。文中讲述了自适应滤波的原理以及LMS算法和RLS算法两种基本自适应算法的原理及步骤。并用MATLAB分别对两种算法进行了自适应滤波仿真和实现。
https://www.eeworm.com/dl/571/20956.html
模拟电子
MAX4968,MAX4968A数据手册
The MAX4968/MAX4968A are 16-channel, high-linearity,high-voltage, bidirectional SPST analog switches with18I (typ) on-resistance. The devices are ideal for use inapplications requiring high-voltage switching controlledby a low-voltage control signal, such as ultrasound imaginga ...
https://www.eeworm.com/dl/571/20976.html
模拟电子
COOLMOS__ICE2A系列的应用研究
由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其优点是：用它做开关电源，无需加散热器，在通用电网即可输出20～50W 的功率；保护功能齐全；电路结构简单；能自动降低空载时的工作频率，从而降低待机状态的损耗，故在中小功率开关电源中有着 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21044.html
模拟电子
理解和应用数字电位器
描述了数字电位器工作原理、特点、分类及广泛应用，阐述了与机械电位器相比，数字电位器的优点，同时也描述了数字电位器AD5272内部电路结构，在此基础上进一步提出了对数字电位器AD5272应用电路系统的设计。结果表明，在低成本的前提下，将数字电位器的性能及应用充分展示，同时验证了数字电位器更为经 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21117.html
模拟电子
具体应用的电容感应系统设计
在许多消费电子产品及白色家电应用中，新兴的电容感应按钮正作为一个流行的用户界面替代机械开关。然而，电容感应界面设计也会带来挑战，在新产品研发、生产及质量控制等方面都可能会出现问题。例如，不同线路板的电容感应按钮寄生电容(CP )可能不同，环境变化（例如温度及湿度）也可能会改变CP。系统 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21124.html
模拟电子
针对JPEG图像的通用隐写分析算法
提出了一种针对JPEG图像的通用隐写分析算法。该算法提取了15个具有良好分类特性的特征参数，输入构建的LS-SVM分类器，以达到检测载密图像的目的。实验结果表明，该算法的检测正确率较高，检测速度快，能够实现针对各类JPEG载密图像的有效检测。
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https://www.eeworm.com/dl/571/21172.html
模拟电子
过采样精确重构余弦调制滤波器组的设计
本文首先推导出过采样滤波器组精确重构的条件，由于此时所需的约束条件数比临界采样时少，因而可以设计出频域衰减特性更好的滤渡器组 然后提出了精碲重梅约束条件下原壅低通滤波器的一种新的设计方法．采用矢量的二次型约束优化算法。谈算法优化方便，收敛速度快．与其它方法相比，滤渡器的阻带衰减大 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21221.html
模拟电子
二极管抽运调Q固体激光器的设计方法研究
通过对速率方程的数值求解,得到二极管泵浦调Q固体激光器的性能参数,即由激光器的结构参数和泵浦参数,求解出激光器的输出参数。然后将其求解得到的输出与设计要求的激光器输出进行比较,由此对输入的结构参数和泵浦参数进行反复调整,直至最终输出参数满足设计要求的误差.
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https://www.eeworm.com/dl/571/21226.html
模拟电子
ADC模数转换器有效位计算
将模拟信号转换为数字信号后再进行处理,是当前信号处理普遍使用的方法,模数转换器（ADC）就是将模拟信号转换为数字信号的器件,所以计算其有效转换位数对系统性能评估就显得尤为重要。文中结合项目工程实践,讨论了ADC有效转换位数的两种测试方法:噪声测试法和信噪比测试法,并对两种方法进行了仿真与分 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21233.html
模拟电子
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的 ...