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技术资料 基于GaN器件射频功率放大电路的设计总结
该文档为基于GaN器件射频功率放大电路的设计总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
技术资料 GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分 ...
matlab例程 这是一个gan_zhi_qi.rar（感知器）的仿真程序
这是一个gan_zhi_qi.rar（感知器）的仿真程序，希望各位多多指点。相互交流，共同进步！
技术资料 半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需 ...
技术资料 期刊论文：64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
·期刊论文：64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
技术资料 期刊论文：剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用
·期刊论文：剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用
技术资料 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的
市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ，其 中 结 型 栅 结 构 （p 型 栅 ）和 共 源 共 栅 级 联 结 ...