随科技的发展，电子技术与辐射环境的关系愈来愈密切。大规模现场可编程集成电路FPGA在电子领域得到了日益广泛的应用，然而，这类器件是由外延CMOS工艺制造的，如果该器件工作于辐射环境恶劣情况下，则需要研究γ电离总剂量辐射对...
电离总剂量辐射效应试验研究
资料详细技术说明
对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大约只有不加电状态下的1/5强.
相关技术资料推荐
下载与解压说明
下载积分规则
- 本资源下载仅需 2 积分
- 24 小时内重复下载免扣积分
- VIP 会员享专属免积分高速通道
文件解压指南
- 推荐使用 7-Zip 或新版 WinRAR 解压
- 原理图与 PCB 请使用对应 EDA 软件打开
- 压缩包内源码可直接在上方在线预览
免费获取积分
- 新用户注册即赠送 10 积分
- 上传分享工程资料可获得持续积分奖励
- 查看积分规则与会员权益 →