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国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验

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资料详细技术说明

文章介绍了对国内首次研制成功的航天用SOI 工艺16 位微处理器1750A 进行抗辐射效应
地面模拟试验的情况，分析了试验结果，初步预估了该器件的抗辐射效应能力，为该器件在空间环境中的应用提供了

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