电离剂量技术资料下载专区，收录500份相关技术文档、开发源码、电路图纸等优质工程师资源，全部免费下载。
对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大...
随科技的发展，电子技术与辐射环境的关系愈来愈密切。大规模现场可编程集成电路FPGA在电子领域得到了日益广泛的应用，然而，这类器件是由外延CMOS工艺制造的，如果该器件工作于辐射环境恶劣情况下，则需要研究γ电离总剂量辐射对该器件的损伤情况。 ...
从基础原理到实验分析，循序渐进讲解80C31单片机在总剂量效应下的电路表现。涵盖辐射环境对芯片性能的影响及应对策略，适合深入理解嵌入式系统可靠性设计。
PS810数据手册 (单节锂离子电池电量计) PS810 是适用于单节锂离子或锂聚合物电池应用的电量计。器件把电池的关键信息提供给主机和系统用户，如电压、电流、温
为保护束流管, BESIII 将使用PIN 硅光电二极管来实时检测对撞点附近的剂量率水平,其中的信号读出电子学采用电流A/ D 转换方案。对几种弱电流放大与测量方法进行了比较,主要介绍了电流A
为了深入探索新的物理现象，北京正负电子对撞机重大改造工程 BEPCII 一方面对北京谱仪进行改造（BESIII 工程），改善性能和精度；另一方面也大幅度提高了束流流强和对撞亮度，但这也导致BE