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脉冲测试是一种能够减少器件总能耗的测量技术。它通过减少焦耳热效应（例如I2R和V2/R），避免对小型纳米器件可能造成的损坏。脉冲测试采用足够高的电源对待测器件（DUT）施加间隔很短的脉冲，产生高品质的可测信号，然后去掉信号源。

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Cree公司生产的SiC MOSFET器件，型号C2M00802012D，在应用器件前需要进行双脉冲实验，实验中用到的主电路原理图（包括PCB文件），驱动和测试原理介绍提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式，可以直接交厂制作，不需修改。...

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SiC 原理图 双脉冲测试

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