介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
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介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
上传时间： 2013-10-08
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在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
上传时间： 2013-10-18
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摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
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利用matlab计算三维光子晶体带隙的fdtd算法
上传时间： 2015-07-01
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本程序是用matlab仿真软件和解析法来计算光子晶体带隙的
上传时间： 2014-01-08
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本程序是用matlab仿真软件和解析法来计算一维光子晶体带隙的另一个程序
上传时间： 2013-12-08
上传用户：sunjet
一组很好的FDTD计算二维光子带隙的程序，matlab 7.0以上版本适用
上传时间： 2013-12-22
上传用户：独孤求源
采用有限元法计算半导体的带隙结构和波函数。
上传时间： 2014-01-15
上传用户：Avoid98
平面波展开法计算正方形结构光子晶体的带隙的程序，二维，平面
上传时间： 2014-11-27
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