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电源技术  一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

介绍一种基于CSMC0.5 &mu;m工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...

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电源技术  高电源抑制比带隙基准电路设计

介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证

https://www.eeworm.com/dl/505/22945.html

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电源技术  一种高精度带隙基准源

在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。

https://www.eeworm.com/dl/505/24248.html

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电源技术  一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计

摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准 ...

https://www.eeworm.com/dl/505/24688.html

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matlab例程  利用matlab计算三维光子晶体带隙的fdtd算法

利用matlab计算三维光子晶体带隙的fdtd算法

https://www.eeworm.com/dl/665/170379.html

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matlab例程  本程序是用matlab仿真软件和解析法来计算光子晶体带隙的

本程序是用matlab仿真软件和解析法来计算光子晶体带隙的

https://www.eeworm.com/dl/665/173656.html

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matlab例程  本程序是用matlab仿真软件和解析法来计算一维光子晶体带隙的另一个程序

本程序是用matlab仿真软件和解析法来计算一维光子晶体带隙的另一个程序

https://www.eeworm.com/dl/665/173657.html

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数学计算  一组很好的FDTD计算二维光子带隙的程序

一组很好的FDTD计算二维光子带隙的程序，matlab 7.0以上版本适用

https://www.eeworm.com/dl/641/190269.html

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数学计算  采用有限元法计算半导体的带隙结构和波函数。

采用有限元法计算半导体的带隙结构和波函数。

https://www.eeworm.com/dl/641/222899.html

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邮电通讯系统  平面波展开法计算正方形结构光子晶体的带隙的程序

平面波展开法计算正方形结构光子晶体的带隙的程序，二维，平面

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