局部背接触结构单晶Si太阳电池的研究
报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用,设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17. 28 %(大气质量AM = 1. 5 G,VOC...
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SI
信号完整性，信号的定义与测量。PCB的设计方面...
GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have a...
压痕诱发GaAs单晶的塑性变形
利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明，压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的玫瑰型位错组态和二次对称分布的孪晶结构。利用电子衍射技术对位错类型进...
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