共源共栅两级运放中两种补偿方法的比较
给出了两种应用于两级CMOS 运算放大器的密勒补偿技术的比较,用共源共栅密勒补偿技术设计出的CMOS 运放与直接密勒补偿相比,具有更大的单位增益带宽、更大的摆率和更小的信号建立时间等优点,还可以在达到相同补偿效果的情况下极大地减小版图尺寸. 通过电路级小信号等效电路的分析和仿真,对两种补偿技术进...
共源共栅技术资料
📦 资源总数：24639
💻 源代码：24433
共源共栅技术，作为放大器设计中的关键架构之一，以其卓越的高频性能和低噪声特性，在射频电路及高性能模拟集成电路中占据重要地位。通过巧妙结合共源与共栅结构的优势，该技术不仅能够有效提升增益带宽积，还能显著改善线性度与稳定性。无论是对于追求极致信号完整性的通信系统开发者，还是致力于优化音频处理链路的专业人士而言，深入理解并掌握共源共栅原理都是不可或缺的技能。本页面汇集了24639份精选资源，涵盖理...
🔥 共源共栅热门资料
查看全部24639个资源 »CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。 ...
并联有源共模电流抑制方法的matlab仿真
并联有源共模电流抑制方法的matlab仿真，建立仿真模型，分析补偿特性...
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在...
一种高精度带隙基准源
在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。 ...
💻 共源共栅源代码
查看更多 »📂 共源共栅资料分类