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技术资料 SMIC 40nm STD library userguide
SMIC40nm标准单元库用户手册，有需要的人请下载。
技术资料 DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计
·摘要：  介绍了一种用于DSP内嵌锁相环的低功耗、高线性CMOS压控环形振荡器.电路采用四级延迟单元来获得相位相差90.的正交输出时钟,每级采用调节电流源大小,改变电容放电速度的方式.基于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型的仿真结果表明,电路可实现2MHz至90MHz的频率调节范围,在中心频率附近具有很高的调节线性度,且总功耗仅 ...
技术资料 一种64位浮点乘加器的设计与实现
·摘要：  乘加操作是许多科学与工程应用中的基本操作,特别是在图形加速器和DSP等应用领域,浮点乘加器有着广泛的应用.论文针对PowerPC603e微处理器系统,基于SMIC 0.25μm 1P5M CMOS工艺,采用正向全定制的电路及版图设计方法,设计实现了一个综合使用改进Booth算法、平衡的4-2压缩器构成的Wallace树形结构、先行进位加法 ...
模拟电子 一种增益增强型套筒式运算放大器的设计
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983. ...
通信网络 一种低延时片上网络路由器的设计与实现
通过分析流水线结构和单周期结构的片上网络路由器，提出了一种低延时片上网络路由器的设计，并在SMIC 0.13um Mixed-signal/RF 1.2V/3.3V工艺进行流片验证。芯片测试结果表明，该路由器可以在300 MHz时钟频率下工作，并且在相同负载下，与其他结构的路由器相比较，其能够在较低延时下完成数据包传送功能。
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技术资料 FPGA配置数据校验和SEU效应侦测的研究和设计.rar
为了满足用户的高端应用需求，高性能FPGA必须能够支持配置数据校验和单事件翻转SEU（Single Event Upset）效应侦测的功能。针对该需求，本文对FPGA配置数据校验和SEU效应侦测进行了研究。并根据FPGA配置数据和回读数据的格式，设计了配置数据校验电路和SEU效应侦测电路。其中数据的校验，采用的是循环冗余校验CRC（Cyclic R ...
技术资料 2.45GHz高线性功率放大器设计
本文基于SMIC 0.18um RF-CMOS 工艺，以Agilent-ADS 为仿真平台实现了一种工作于2.45GHz 功率放大器的设计，仿真结果表明ADS 软件在建模和仿真分析方面表现出很好的性能。电路采用两级放大的结构，分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS 器件低击穿电压的限制，同时保证了稳定性的要求。为了提高线性，采用了一 ...
电源技术 一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计
利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 ...
模拟电子 一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm ...
电源技术 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数， ...