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silvaco

silvaco的全称是silvacoInternational是世界领先的电子设计自动化(EDA)软件供应商,公司创建于1984年,总部设于加利福尼亚州的圣塔克莱拉,在全世界设有12个分支机构。silvaco公司拥有包括IDM、Foundry、Fabless、集成电路材料业者、液晶面板厂、太阳能电池厂、ASIC业者、大学、研究中心等在内的庞大的国内外客户群。供应已经证明的产品用于TCAD工艺和器件仿真,Spice参数提取,电路仿真、全定制IC设计/验证等。公司将这些最优产品与经验丰富的技术支持和工程服务结合在一起,经验丰富知识渊博的应用工程师提供一套完备技术。
  • silvaco教程

    如题,silvaco教程,但是繁体字的。。。

    标签: silvaco 教程

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:HGH77P99

  • tft仿真相关教程(silvaco)

    silvaco仿真相关 tft仿真教程 atlas 2D仿真器

    标签: silvaco

    上传时间: 2015-05-07

    上传用户:sunrems

  • 半导体仿真工具silvaco TCAD学习资料

    半导体仿真工具silvaco TCAD学习资料,中文,第1章 仿真准备,第2章 二维工艺仿真,第3章 二维器件仿真,第4章 高级的特性,附录A 材料系统,附录B 物理

    标签: 器件仿真

    上传时间: 2016-03-23

    上传用户:虫虫网....

  • silvaco中英文资料

    silvaco中英文资料全集,主要是例子的详细讲解

    标签: 器件仿真

    上传时间: 2016-03-23

    上传用户:虫虫网....

  • silvaco电子书

    silvaco电子书中文版,现代电子工业飞速发展,极大地改善了人们的生产和生活。半导体器件的持续改进、完 善以及不断涌现的新器件促使电子工业加速发展。但激烈的竞争也让半导体行业倍感压力。 由于技术更新快,设备和原材料的投入相当巨大,现在建立一条生产线动辄要数亿美元。对 高技术人才的要求也是前所未有的。 

    标签: silvaco 电子书

    上传时间: 2020-04-20

    上传用户:13667672065

  • 半导体仿真工具 silvaco tcad 学习资料

    接触silvaco TCAD仿真软件已经有很长时间了,这期间还熟悉了一下ISE TCAD。学习的过程中,老师、师兄姐和同学给了我极大的帮助。这本书的主旨就是希望提供一些对于silvaco仿真的可资借鉴的经验。学习和使用silvaco的时候各人的视角会不一样,虽然这本书只是介绍一些常用的仿真,例句也有限,但因为流程控制和语法都有相通的地方,完全可以参照本书和手册的说明灵活地建立仿真以及仿真一些本书未提及的特性。写本书的另一个动力是想体验一下IAT在排版书籍上和word的不同。经过这次编排觉得各有优缺点。IZTX对排图片和表格这些浮动元素很费力。我在排此书的时候经常遇到图片和表格按照自动方式排的位置很差,和文字内容脱节很远,为此不得不处理图片,有时还将表格拆开等。如果各位遇到很脱节的地方还请见谅。LTX的使用需要有很强的耐心和探索精神,也可以说是牺牲精神。不管是MS Office还是ITEX,总的目的是想内容通顺,阅读起来舒服,用什么工具就是“八仙过海,各显神通”了。

    标签: 半导体仿真 silvaco tcad

    上传时间: 2021-11-26

    上传用户:qingfengchizhu

  • silvaco版图编辑器Expert

    该文档为silvaco版图编辑器Expert总结文档,是一份不错的参考资料,感兴趣的可以下载看看,,,,,,,,,,,,,,,,,

    标签: silvaco 版图编辑器

    上传时间: 2022-07-25

    上传用户:突破自我

  • 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

    提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

    标签: LDMOS 射频集成电路 击穿

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:603100257

  • N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

     N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降低通态压降。

    标签: PT-IGBT 缓冲层

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:thesk123

  • 现代快恢复二极管设计方法的研究

    基于改善快恢复二极管的的动态特性,通过对二极管的横、纵向参数来进行分析,理论上提出了快恢复二极管的设计方法,并且结合silvaco-TCAD仿真软件进行验证;得出了现代快恢复二极管应降低阳极浓度、减小基区少子寿命,采用加缓冲层的结论;这种结构极大的改善了快恢复二极管的正向导通特性,达到了优化动态特性的目的。

    标签: 恢复二极管 设计方法

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:xc216