SiC衬底X波段GaNMMIC的研究博士论文
SiC衬底X波段GaNMMIC的研究博士论文...
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论文仿真原型程序,仿真四种（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的检测性能
论文仿真原型程序,仿真四种（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的检测性能，绘制误比特率～信噪比曲线。 发端初始化=========================...
SiC双脉冲测试板资料
Cree公司生产的SiC MOSFET器件，型号C2M00802012D，在应用器件前需要进行双脉冲实验，实验中用到的主电路原理图（包括PCB文件），驱动和测试原理介绍提供在附件中。其中PCB文件是G...
SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改...
SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景讲解
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SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结
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基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器
基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 分享一个基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 Demo...
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材...
SiC 功率器件・模块 应用笔记
本应用笔记详细记载了关于罗姆的SiC 器件的特性及使用方法。从分立器件到模块，面向各种应用，SiC器件的优势和使用上的注意点，从初次接触SiC器件到熟知产品的各位，都可以得到应用和帮助...
SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解
该文档为SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………...