DescriptionThe IMX385LQR-C is a diagonal 8.35 mm (Type 1/2) CMOS active pixel type solid-state image sensor with a squarepixel array and 2.13 M effective pixels. This chip operates with analog 3.3 V, digital 1.2 V, and interface 1.8 V triplepower supply, and has low power consumption. High sensitivity, low dark current and no smear are achieved throughthe adoption of R, G and B primary color mosaic filters. This chip features an electronic shutter with variablecharge-integration time.(Applications: Surveillance cameras)
标签： CMOS传感器 IMX385LQR-C
上传时间： 2022-06-18
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sony CMOS传感器datasheet，IMX178LQJ-C_Data_SheetDescriptionThe IMX178LQJ-C is a diagonal 8.92 mm (Type 1/1.8) CMOS active pixel type image sensor with a square pixelarray and 6.44 M effective pixels. This chip operates with analog 2.9 V, digital 1.2 V and interface 1.8 V triple powersupply, and has low power consumption.High sensitivity, low dark current and no smear are achieved through the adoption of R, G and B primary colormosaic filters.This chip features an electronic shutter with variable charge-integration time.(Applications: Surveillance cameras, FA cameras, Industrial cameras)
标签： CMOS传感器 IMX178LQJ-C
上传时间： 2022-06-18
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1简介本应用笔记介绍了如何采用MC9S122VL32器件，在RGB LED照明应用中实现控制和诊断功能。MC9S12ZVL32集成了一个16位微控制器（基于成熟的S12技术），一个汽车稳压器，一个LIN接口，一个用于感应汽车电池电压的VSUP模块，和一个HVI引脚[1]。RGB LED照明应用采用FreeMASTER工具进行控制[2]本文档包含AN4842SWzip文件，其中带有X-S12ZVL32-USLED硬件和软件文件。2 RGB LED照明应用图1所示为RGB LED照明应用的结构框图。蓝色框表示MC9S12ZVL32模块，浅棕色框表示软件模块。RGB LED通过FreeMASTER工具控制页面[2]进行控制。ADC会感应RGB LED的电压，并通过AMMCLIB模块[3]计算出LED平均电流，从而实现LED诊断功能。RGB LED控制和诊断模块可通过LIN进行监控。有关详细描述，请参阅以下各节。2.1 RGB LED应用电路RGB LED通过MCU PWM1，PWM3和PWMS输出进行控制，见图2。通过MCU的输入端AN3.AN4和AN5分别测量电阻R6，R7，R8与RGB LED的连接处电压，见表1.MCU +s v调节器使用的是外部镇流晶体管Q3.Q3有助于降低MCU功耗，还能提升调节器电流容量。模块电池反接保护功能由二极管DS提供。2.2 RGB LED控制PWM模块以16位分辨率驱动LED.由于较高的PWM分辨率，RGB LED颜色的变化很流畅。2.3 RGB LED诊断RGB LED诊断模块报告用LED二极管电压值和所用PWM占空比计算得到的实际LED平均电流。实际LED电压在LED导通时由ADC采样，在PWM信号下降沿之后红光二极管采样约2us，绿光二极管约4 1s，蓝光二极管约6us。采样值用来计算二极管电阻电压。因电阻电压及其电阻是已知的，所以可以用来计算二极管峰值电流。用已知的PWM占空比值和二极管峰值电流计算平均电流值。计算是通过AMMCLIB[3]用16位小数算法完成的。
上传时间： 2022-06-19
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SI4463收发器性能如下：频率范围= 119-1050 MHz接收灵敏度= -126 dBm调制（G）FSK，4（G）FSK，（G）MSK OOK最大输出功率+20 dBm（Si4464 / 63）低有功功耗10/13 mA RX18 mA TX + 10 dBm（Si4460）超低功耗模式30 nA关机，50 nA待机数据速率= 100 bps至1 Mbps快速的唤醒和跳跃时间电源= 1.8至3.6 V优异的选择性能60 dB相邻通道1 MHz时75 dB阻塞天线分集和T / R开关控制高可配置的数据包处理程序TX和RX 64字节FIFO自动频率控制（AFC）自动增益控制（AGC）低BOM低电量检测器温度感应器20引脚QFN封装IEEE 802.15.4g兼容
上传时间： 2022-06-19
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摘要：在光伏发电系统优化的研究中，为了有效提高太阳能利用率，建立了光伏电池等效电路和数学模型，在MATLAB/Simulink仿真环境下搭建光伏电池通用工程模型，光伏电池通过串并联方式组合成光伏阵列，并利用电导增量法原理通过控制Boost电路占空比实现光伏阵列最大功率点跟踪（MPPT），仿真结果表明：改进模型可仿真任意光照强度、环境温度下，不同型号光伏电池及其串并联组合成光伏阵列的1-V特性，并能较好控制并实现MPPT，模型动态性能好，具有较强的实用性。关键词：光伏电池；串并联组合；最大功率点跟踪
上传时间： 2022-06-19
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在一般较低性能的三相电压源逆变器中， 各种与电流相关的性能控制， 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时， 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中， 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单， 成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器， 8脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2为TLP250 的内部结构简图， 表1 给出了其工作时的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 输入阈值电流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 电源电流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 电源电压（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 输出电流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 开关时间（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔离电压： 2500 Vpms（最小）。表2 给出了TLP250 的开关特性，表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。注： 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来稳定高增益线性放大器的工作， 提供的旁路作用失效会损坏开关性能， 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
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论文的主要工作和研究成果可以概括为以下几个方面：1，分析了微波射频滤波器的基本原理，频率变换规则。阐述了微波滤波器的新技术及其应用.2，研究分析了螺旋滤波器的基本理论，设计了一种工作在VHF/UHF波段的螺旋腔体带阻滤波器。论文以传统的带状线带阻滤波器作为着手点，采用电容耦合短截线谐振结构，将同轴线谐振器变换成螺旋线结构，有效地缩小了滤波器的体积。3，提出了一种结构新额的微带平面结构滤波器，采用双模谐振器结构形式。V/在辐射贴片上开十字交叉槽线来降低谐振频率。滤波器的输入输出请振臂使用L形开路结构，带外抑制非常好，高达-33dB，二次谐波被推移到基波的3倍频以外。论文采用理论分析与计算机辅助设计相结合的设计理念。对螺旋腔体带阻滤波器和双模微带带通滤波器进行了实物加工，实测结果与仿真结果相吻合.关键词：射频；滤波器；螺旋谐振器：双模谐振器
标签： 射频滤波器
上传时间： 2022-06-20
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1引言由于环境温度、湿度、油污等外界条件对诸如预付费水表、预付费燃气表、预付费热量表等接触式卡表的影响明显，卡座磨损、腐蚀，以及潮气、灰尘等大大缩短了对卡表的使用寿命，因此非接触卡表已成为当前发展趋势。这里给出了一种基于射频器件MFRCS22"的智能仪表设计，提高了智能仪表的使命寿命。2 MFRC522简介2.1 MFRC522的特点MFRC522采用串行通信方式与主机通信，可根据用户需求，选用SPIPC或串行UART工作模式，有利于减少连线，缩小PCB板面积，降低成本。MFRC522主要特点如下：高度集成的调制解调电路，采用少量外部器件，即可将输出驱动级接至天线；支持ISO/EC 14443 TypeA接口和MIFARE通信协议；支持多种主机接口：10 Mbitls的SPI接口；PC接口，快速模式的速率为400 Kbit/s，高速模式的速率为3400 Kbitls；串行UART，传输速率可以高达1 228.8 kbits，取 RS232 口；特有的发送器掉电机制可关团内部天线驱动器，即关闭RF场，达到低功耗；内置温度传感器，在过热时自动停止RF发射；独立的多组电源供电，避免相互干扰，优化EMC特性和信号退构性能；25 V-3.6 V的低压、低功耗，采用5 mmx5mmx0.85 mm的超小型HVQFN32封装。
上传时间： 2022-06-20
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Modbus寻址Modbus地址通常是包含数据类型和偏移量的5 个或6 个字符值。第一个或前两个字符决定数据类型，最后的四个字符是符合数据类型的一个适当的值。Modbus主设备指令能将地址映射至正确的功能，以便发送到从站。1 Modbus主站寻址Modbus主设备指令支持下列Modbus地址：(1) 00001 至09999是离散输出（线圈）。(2) 10001 至19999是离散输入（触点）。(3) 30001 至39999是输入寄存器（通常是模拟量输入）。(4) 40001 至49999是保持寄存器。所有Modbus地址均以1 为基位，表示第一个数据值从地址1 开始。有效地址范围将取决于从站。不同的从站将支持不同的数据类型和地址范围。2 Modbus从站寻址Modbus从站指令支持以下地址：(1) 000001 至000128 是实际输出，对应于Q0.0 ——Q15.7 。(2) 010001 至010128 是实际输入，对应于I 0.0 ——丨15.7 。(3) 030001 至030032 是模拟输入寄存器，对应于AIW0 至AIW2。(4) 040001 至04XXXX是保持寄存器，对应于V 区。Modbus从站协议允许您对Modbus主站可访问的输入、输出、模拟量输入和保持寄存器（ V 区）的数量进行限定。MBUS_INIT指令的参数MaxlQ 指定Modbus主站允许访问的实际输入或输出（ I 或Q) 的最大数量。MBUS_INIT指令的MaxAl 参数指定Modbus主站允许访问的输入寄存器（ A 丨W)的最大数量。MBUS_INIT指令的MaxHold 参数指定Modbus主站允许访问的保持寄存器（V 存储区字）的最大数
上传时间： 2022-06-21
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自20世纪80年代以来，以IGBT为代表的双极型复合器件的迅速发展，使得电力电子器件沿着高电压、大电流、高频化、模块化的方向发展，逆变技术日趋大容量化、高性能化，这使得采用大功率逆变电源作为舰船的主要供电电源成为可能。以igBT为主开关件的船大功逆变电源设计中，由于 KBт开关频率、开关速度的提高以及容量的提升（目前3 300 V-1 500 A的 KBT模块已投入实际应用），流经KBT的电流迅速变化，主电路母线的分布电感产生的瞬时电压尖峰会施加在KBT两端，如果处理不当，会使KBT的开关工作轨迹超出器件的SOA（Safe Operation Area安全工作区域），从而对逆变电源的正常运行构成威胁"1.本文对大功率逆变电源KBT关断时产生电压尖峰的机理进行了说明，并对影响关断电压尖峰的主要因素进行了分析。通过应用叠层复合母排降低了主电路母线的分布电感，通过设计合适的吸收电路改善了开关轨迹，从而抑制关断电压尖峰，使大功率逆变电源的开关器件运行在可靠的工作范围内。
上传时间： 2022-06-21
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