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mos管

PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的mos管。全称:positivechannelMetalOxideSemiconductor;别名:positiveMOS。
  • LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计

    摘要:对LDO线性稳压器关键技术进行了分析,重点分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路,利用mos管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比,该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。 关键词:LDo;稳定性;ESR;动态频率补偿

    标签: LDO 线性稳压器 动态 电路设计

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:gtf1207

  • Construction Strategy of ESD P

    Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不断缩小,金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄,MOS 管能承受的电流和电压也越来越小,因此要进一步优化电路的抗ESD 性能,需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。

    标签: Construction Strategy ESD of

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:Aidane

  • TP4056移动电源IC

    DC/DC升压IC ,LDO稳压IC,锂电池充电IC,恒流IC,LED驱动IC ,电压检测IC,降压IC,AC-DC,mos管等电源管理芯片。

    标签: 4056 TP 移动电源IC

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:448949

  • 基于AVR单片机的逆变并网装置的设计

    摘要:本装置主要以AVR单片机为核心,通过SG3 5 25芯片完成DC-DC稳压电路,有单片机产生的SPWM波形完成DC-AC逆变并网。SPWM波形,经光耦将主电路与控制电路隔离后将信号由一个非门变为两路互~bSPWM波形作为IR2110驱动芯片的输入,两个IR2110输出控制逆变环节的mos管导通。使整个系统能够稳定的工作规定范围内,通过采样环节,可以做到实时的调整。也可以通过采样电流的信号对系统的过电流进行保护,设置了欠电压工作点,通过这些环节,使系统在出现故障后能够有良好的保护。

    标签: AVR 单片机 逆变 并网

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:cange111

  • SemiHow MOSFET选型手册

    附件是Semihow MOS 管的选型手册,Semihow 是一家韩国品牌,品质跟Fairchild(仙童)相同,但价格却优于仙童的一家品牌,如有需求MOS的朋友请联系我,电话:021-54262182 EXT 114 (Eric)QQ:1187337351

    标签: SemiHow MOSFET 选型手册

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:ch3ch2oh

  • AN799 MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计

    mos管设计教程

    标签: MOSFET 799 AN 驱动器

    上传时间: 2013-10-10

    上传用户:海陆空653

  • SM8013C电流模式的PWM离线式控制芯片

    钲铭科SM8013C是一款电流模式的PWM离线式控制芯片,直接驱动外部高压mos管。采用自适应多模式工作方式,根据负载情况,自动切换到Burst模式,PFM模式,或者PWM模式,满足系统的低待机功耗(<0.3W,265V AC),高转换效率的要求。内部集成多种保护功能,如过流保护、过载保护、VDD过压保护和VDD欠压保护等多种保护。封装形式:DIP8、SOP8、SOT23-6

    标签: 8013C 8013 PWM SM

    上传时间: 2013-12-08

    上传用户:dyctj

  • SM8012芯片资料

    钲铭科SM8012是一款电流模式的PWM离线式控制芯片,内置高压开关mos管。采用自适应多模式工作方式,根据负载情况,自动切换到Burst模式,PFM模式,或者PWM模式,满足系统的低待机功耗(<0.3W@265V AC),高转换效率的要求。内部集成多种保护功能,如过流保护、过载保护、VDD过压保护和VDD欠压保护等多种保护。封装形式:DIP8

    标签: 8012 SM 芯片资料

    上传时间: 2013-11-24

    上传用户:wwwe

  • 基于IR2101最大功率跟踪逆变器的设计

    为解决直流逆变交流的问题,有效地利用能源,让电源输出最大功率,设计了高性能的基于IR2101最大功率跟踪逆变器,并以SPMC75F2413A单片机作为主控制器。高电压、高速功率的MOSFET或IGBT驱动器IR2101采用高度集成的电平转换技术,同时上管采用外部自举电容上电,能够稳定高效地驱动mos管。该逆变器可以实现DC/AC的转换,最大功率点的跟踪等功能。实际测试结果表明,该逆变器系统具有跟踪能力强,稳定性高,反应灵敏等特点,该逆变器不仅可应用于普通的电源逆变系统,而且可应用于光伏并网发电的逆变系统,具有广泛的市场前景。 Abstract:  To solve the problem of DC-AC inverter, and to utilize solar energy more efficiently, the design of maximum power point tracking inverter based on IR2101 was achieved with a high-performance, which can make the system output power maximum. SPMC75F2413A was adopted as main controller. IR2101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. It adopted highly integrated voltage level transforming technology, and an external bootstrap capacitor was used, which could drive MOS tube efficiently and stably. Many functions are achieved in the system, such as DC/AC conversion, maximun power point tracking, etc. The actual test result shows that the inverter system has characteristics of strong tracking ability, high stability and reacting quickly. The design can not only be used in ordinary power inverter system, but also be used in photovoltaic power inverter system. The design has certain marketing prospects

    标签: 2101 IR 最大功率跟踪 逆变器

    上传时间: 2013-11-17

    上传用户:lliuhhui

  • 关于PCB封装的资料收集整理.pdf

    关于PCB封装的资料收集整理. 大的来说,元件有插装和贴装.零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD 元件放上,即可焊接在电路板上了。晶体管是我们常用的的元件之一,在DEVICE。LIB库中,简简单单的只有NPN与PNP之分,但实际上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3,如果它是NPN的2N3054,则有可能是铁壳的TO-66或TO-5,而学用的CS9013,有TO-92A,TO-92B,还有TO-5,TO-46,TO-52等等,千变万化。还有一个就是电阻,在DEVICE 库中,它也是简单地把它们称为RES1 和RES2,不管它是100Ω 还是470KΩ都一样,对电路板而言,它与欧姆数根本不相关,完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W 和甚至1/2W 的电阻,都可以用AXIAL0.3 元件封装,而功率数大一点的话,可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下:电阻类及无极性双端元件:AXIAL0.3-AXIAL1.0无极性电容:RAD0.1-RAD0.4有极性电容:RB.2/.4-RB.5/1.0二极管:DIODE0.4及DIODE0.7石英晶体振荡器:XTAL1晶体管、FET、UJT:TO-xxx(TO-3,TO-5)可变电阻(POT1、POT2):VR1-VR5这些常用的元件封装,大家最好能把它背下来,这些元件封装,大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3,AXIAL 翻译成中文就是轴状的,0.3 则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil(因为在电机领域里,是以英制单位为主的。同样的,对于无极性的电容,RAD0.1-RAD0.4也是一样;对有极性的电容如电解电容,其封装为RB.2/.4,RB.3/.6 等,其中“.2”为焊盘间距,“.4”为电容圆筒的外径。对于晶体管,那就直接看它的外形及功率,大功率的晶体管,就用TO—3,中功率的晶体管,如果是扁平的,就用TO-220,如果是金属壳的,就用TO-66,小功率的晶体管,就用TO-5,TO-46,TO-92A等都可以,反正它的管脚也长,弯一下也可以。对于常用的集成IC电路,有DIPxx,就是双列直插的元件封装,DIP8就是双排,每排有4个引脚,两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx 就是单排的封装。等等。值得我们注意的是晶体管与可变电阻,它们的包装才是最令人头痛的,同样的包装,其管脚可不一定一样。例如,对于TO-92B之类的包装,通常是1 脚为E(发射极),而2 脚有可能是B 极(基极),也可能是C(集电极);同样的,3脚有可能是C,也有可能是B,具体是那个,只有拿到了元件才能确定。因此,电路软件不敢硬性定义焊盘名称(管脚名称),同样的,场效应管,MOS 管也可以用跟晶体管一样的封装,它可以通用于三个引脚的元件。Q1-B,在PCB 里,加载这种网络表的时候,就会找不到节点(对不上)。在可变电阻

    标签: PCB 封装

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:daguogai