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该文档为基于GaN器件射频功率放大电路的设计总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………...

📅 2021-12-23

本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主...

📅 2022-06-20

作者：何亮，刘扬论文摘要：氮化镓 (G a N )材料具有优异的物理特性，非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件，具有十分广 ...

📅 2021-12-08

半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。宽禁带半导体材...

📅 2022-01-03

本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主...

📅 2022-06-25

压电器件...

📅 2013-06-23

现代光电器件技术及应用...

📅 2013-08-01

激光器件原理与设计...

📅 2013-06-27

ALTERA可编程逻辑器件及其应用...

📅 2013-04-15

常用器件选型表...

📅 2013-06-01

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