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  • 16位10 MSPS ADC AD7626的单端转差分高速驱动电路

    图1所示电路可将高频单端输入信号转换为平衡差分信号,用于驱动16位10 MSPS PulSAR® ADC AD7626。该电路采用低功耗差分放大器ADA4932-1来驱动ADC,最大限度提升AD7626的高频输入信号音性能。此器件组合的真正优势在于低功耗、高性能

    标签: MSPS 7626 ADC AD

    上传时间: 2013-10-21

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  • 第10章 直流电源

    §10.1 直流电源的组成及作用 §10.2 整流电路 §10.3 滤波电路 §10.4 稳压二极管稳压电路 §10.5 串联型稳压电路 §10.6 开关型稳压电路

    标签: 直流电源

    上传时间: 2013-10-16

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  • 电路分析基础-ppt教程

    第一章  基 础 知 识由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。1.1  电路与电路模型1.2  电路分析的基本变量1.3  电阻元件和独立电源元件1.4  基尔霍夫定律1.5  受  控  源1.6  两类约束和KCL,KVL方程的独立性1.1  电路与电路模型1.电路2.电路的形式与功能 电路的功能基本上可以分成两大类。一类是用来实现电能的转换、传输和分配。电路的另一类功能则是在信息网络中,用来传递、储存、加工和处理各种电信号。  图1-2所示的是通信网的基本组成框图。通常把输入电路的信号称为激励,而把经过电路传输或处理后的信号称为响应。 3.电路模型与集中电路 构成电路的设备和器件统称为电路部件,常用的电路部件有电池、发电机、信号发生器、电阻器、电容器、电感线圈、变压器、晶体管及集成电路等。 基本的电路参数有3个,即电阻、电容和电感。  基本的集中参数元件有电阻元件、电感元件和电容元件,分别用图1-3(a),(b)和(c)来表示。

    标签: 电路分析基础 教程

    上传时间: 2013-10-20

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  • 差分阻抗

    当你认为你已经掌握了PCB 走线的特征阻抗Z0,紧接着一份数据手册告诉你去设计一个特定的差分阻抗。令事情变得更困难的是,它说:“……因为两根走线之间的耦合可以降低有效阻抗,使用50Ω的设计规则来得到一个大约80Ω的差分阻抗!”这的确让人感到困惑!这篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外,还讨论了为什么是这样,并且向你展示如何正确地计算它。 单线:图1(a)演示了一个典型的单根走线。其特征阻抗是Z0,其上流经的电流为i。沿线任意一点的电压为V=Z0*i( 根据欧姆定律)。一般情况,线对:图1(b)演示了一对走线。线1 具有特征阻抗Z11,与上文中Z0 一致,电流i1。线2具有类似的定义。当我们将线2 向线1 靠近时,线2 上的电流开始以比例常数k 耦合到线1 上。类似地,线1 的电流i1 开始以同样的比例常数耦合到线2 上。每根走线上任意一点的电压,还是根据欧姆定律,

    标签: 差分阻抗

    上传时间: 2013-10-20

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  • ESD保护技术白皮书

    最新的HDMI I.3(高清晰度多媒体接口1.3)标准把以前的HDMI 1.0 - 1.2标准所规定的数据传送速度提高了一倍,每对差动信号线的速度达到3.4 Gbps。由于数据传送速度这么高,要求电路板的电容小,确保信号的素质很好,这给电路板的设计带来了新的挑战。在解决这个问题,实现可靠的静电放电(ESD)保护时,这点尤其重要。在HDMI系统设计中增加ESD保护时,如果选用合适的办法,就可以把问题简化。泰科电子的ESD和过电流保护参考设计,符合3.4 GHz的HDMI 1.3规范,达到IEC 61000-4-2关于ESD保护的要求,并且可以优化电路板的空间,所有这些可以帮助设计人员减少风险。本文探讨在HDMI 1.3系统中设计ESD保护的要求和容易犯的错误。 概述 在高清晰度视频系统中增加ESD保护,提出了许多复杂而且令人为难的问题,这会增加成本,会延长产品上市的时间。人们在选择ESD保护方案时,往往是根据解决这个问题的办法实现起来是否容易。不过,最简单的办法也许不可能提供充分的ESD保护,或者在电路板上占用的空间不能让人最满意。有些时候,在开始时看上去是解决ESD保护问题的最好办法,到了后来,会发现需要使用多种电路板材来保证时基信号达到要求。在实现一个充分的静电放电保护时,往往需要在尺寸、静电放电保护的性能以及实现起来是否容易这几方面进行折衷。一直到现在仍然是这样。

    标签: ESD 保护技术 白皮书

    上传时间: 2013-10-22

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  • 磁芯电感器的谐波失真分析

    磁芯电感器的谐波失真分析 摘  要:简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB,从而降低总谐波失真THD的历史过程,分析了诸多因数对谐波测量的影响,提出了磁心性能的调控方向。 关键词:比损耗系数, 磁滞常数ηB ,直流偏置特性DC-Bias,总谐波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年来,变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家,在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上,进行了深入的探讨和广泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施,促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。  一、 历史回顾 总谐波失真(Total harmonic distortion) ,简称THD,并不是什么新的概念,早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17-78“载波用铁氧体罐形磁心”中,规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示,利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法,专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统,其非线性失真有很严格的要求。  图中  ZD   —— QF867 型阻容式载频振荡器,输出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通滤波器,阻抗 150Ω,阻带衰耗大于61dB,       Lg88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 选频电平表,输入高阻抗, L ——被测无心罐形磁心及线圈, C  ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时,所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝, (线架为一格) , 其空心电感值为 318μH(误差1%) 被测磁心配对安装好后,先调节振荡器频率为 36.6~40KHz,  使输出电平值为+17.4 dB, 即选频表在 22′端子测得的主波电平 (P2)为+17.4 dB,然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平(P3), 则三次谐波衰耗值为:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 为放大器增益dB 从以往的资料引证, 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作,其中测量系统的高、低通滤波器,信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严,阻抗必须匹配,薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成,以保证本身的“洁净” ,不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求, 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初,1409 所和四机部、邮电部各厂,从工艺上改变了推板空气窑烧结,出窑后经真空罐冷却的落后方式,改用真空炉,并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料,在此基础上,还实现了高μ7000~10000材料的突破,从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM(频率划分调制)向PCM(脉冲编码调制) 转换时期, 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ,100KHz)的超优铁氧体材料<3>,其磁滞系数降为优铁

    标签: 磁芯 电感器 谐波失真

    上传时间: 2014-12-24

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  • autocad 2012 官方简体中文版下载

    AutoCAD是美国Autodesk公司首次于1982年生产的自动计算机辅助设计软件,用于二维绘图、详细绘制、设计文档和基本三维设计。Autodesk公司借助世界领先的二维和三维设计软件之一--AutoCAD ,软件中强大、灵活的功能,实现卓越的设计和造型。 AutoCAD 2012特点: (1)具有完善的图形绘制功能。 (2)有强大的图形编辑功能。 (3)可以采用多种方式进行二次开发或用户定制。 (4)可以进行多种图形格式的转换,具有较强的数据交换能力。 (5)支持多种硬件设备。 (6)支持多种操作平台。 (7)具有通用性、易用性,适用于各类用户此外,从AutoCAD2000开始,该系统又增添了许多强大的功能,如AutoCAD设计中心(ADC)、多文档设计环境。 AutoCAD 2012官方简体中文正式版安装说明: 1.启动安装 Autodesk AutoCAD 2012 2.输入AutoCAD安装序列号: 666-69696969, 667-98989898, 400-45454545 3.输入AutoCAD密匙: 001D1 4.完成安装,重启AutoCAD。 5.点击激活按钮之前 你有两个选择: a)禁用您的网络或拔掉网线; b)点击激活后它会告诉您,您的序列号是错误的,这时点击上一步等一会再点击激活即可。 选择了a或b后看下一步。 6.在激活界面中选择我拥有一个Autodesk激活码 7.一旦到了激活屏幕:启动注册机如果你是32位的请启用32位的注册机如果是64位的请启动64位的注册机。 8.先粘贴激活界面的申请号至注册机中的Request中, 9.点击Generate算出激活码,在注册机里点Mem Patch键,否则无法激活,提示注册码不正确。 10.最后复制Activation中的激活码至“输入激活码”栏中,并点击下一步,即会提示激活成功。

    标签: autocad 2012 简体中文

    上传时间: 2013-11-16

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  • 隔直旁路电容及扼流电感的取值

    这里仅讨论电容及电感值的选取。种类的选取,则需要更多的工程实践,更多的RF电路的经验,这里不再讨论。从理论上讲,隔直电容、旁路电容的容量应满足。显然,在任何角频率下,这在工程上是作不到的。电容量究竟取多大是合理的呢?图1-5(a),(b)给出了隔直电容(多数情况下,这个电容又称为耦合电容)和旁路电容的使用简化

    标签: 旁路电容 扼流 电感

    上传时间: 2013-11-12

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  • 简易负离子发生器的制作

      简易负离子发生器负离子增加,对人有催眠、止汗、镇痛、增进食欲,使人精神爽快,消除疲劳的作用。图1是负离子发生器电路图。220V交流市电经D1整流后向C3和C2充电,当C2充电至氖泡导通并触发SCR导通时,C3经SCR、B的L1放电,经B感应升压后,由D2反向整流得8kV直流高压使发生器M的分子电离而产生负离子。调整R3的阻值可以改变触发频率和输出电压。调整时必须注意安全,更换元件需拨下电源插头

    标签: 负离子发生器

    上传时间: 2013-10-29

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  • 80C51特殊功能寄存器地址表

    /*--------- 8051内核特殊功能寄存器 -------------*/ sfr ACC = 0xE0;             //累加器 sfr B = 0xF0;  //B 寄存器 sfr PSW    = 0xD0;           //程序状态字寄存器 sbit CY    = PSW^7;       //进位标志位 sbit AC    = PSW^6;        //辅助进位标志位 sbit F0    = PSW^5;        //用户标志位0 sbit RS1   = PSW^4;        //工作寄存器组选择控制位 sbit RS0   = PSW^3;        //工作寄存器组选择控制位 sbit OV    = PSW^2;        //溢出标志位 sbit F1    = PSW^1;        //用户标志位1 sbit P     = PSW^0;        //奇偶标志位 sfr SP    = 0x81;            //堆栈指针寄存器 sfr DPL  = 0x82;            //数据指针0低字节 sfr DPH  = 0x83;            //数据指针0高字节 /*------------ 系统管理特殊功能寄存器 -------------*/ sfr PCON  = 0x87;           //电源控制寄存器 sfr AUXR = 0x8E;              //辅助寄存器 sfr AUXR1 = 0xA2;             //辅助寄存器1 sfr WAKE_CLKO = 0x8F;        //时钟输出和唤醒控制寄存器 sfr CLK_DIV  = 0x97;          //时钟分频控制寄存器 sfr BUS_SPEED = 0xA1;        //总线速度控制寄存器 /*----------- 中断控制特殊功能寄存器 --------------*/ sfr IE     = 0xA8;           //中断允许寄存器 sbit EA    = IE^7;  //总中断允许位  sbit ELVD  = IE^6;           //低电压检测中断控制位 8051

    标签: 80C51 特殊功能寄存器 地址

    上传时间: 2013-10-30

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