提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计，实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围，应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真，结果表明，在1.2 V的工作电压下，具有76 dB的增益，控制电压范围超过0.8 V，带宽范围从34 MHz到183.6 MHz，功耗为0.82 mW。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：笨小孩
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，VGS会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，VGS又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。由于米勒电容阻止了VGS的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（VGS上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）
标签： MOS管
上传时间： 2022-03-20
上传用户：得之我幸78
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查VGS和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
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