一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法...
VGS技术资料
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VGS，即栅源电压，是衡量MOSFET等半导体器件性能的关键参数之一。掌握VGS特性对于设计高效、稳定的电路至关重要。本页面汇集了3个精选资源，涵盖VGS在电源管理、信号处理及射频通信中的应用实例与理论分析，适合从初学者到资深工程师各级别读者深入学习。通过这些资料，您可以更好地理解如何利用VGS优化电路设计，提升产品性能。立即访问，开启您的专业成长之旅！
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MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此...
20kW全桥谐振LLC转换器
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振...
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