📚 VGS技术资料

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MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds...

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文中介绍一种点阵式OLED模块VGS12864E的结构特征、指令系统;给出它与Cygnal C8051F020单片机的间接访问接口电路设计,以及显示模块的硬件驱动和显示16×8点阵西文字符的Keil ...

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提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VG...

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此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥LLC电路中的系统性能,该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型...

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使用MOSFET防止电池反装并提高电池续航寿命 简介 在低电压的应用中,常见的是用如图1所示的反向保护二极管来防止电池反装,但是由于二极管的导通压降,使负载上的电压降低。这就...

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《零死角玩转 STM32 》系列教程由 初级篇、 中级篇、 高级篇、 系统篇 、四个部分组成,根据野火 STM32 开发板旧版教程升级而来,且经过重新深入编写,重新排版,更适合初学者,步步为营,从入门...

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