TTL-MOS
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国产MOS预驱动芯片EG3013 手册
高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V内建死区控制电路自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力 专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动HIN 输入通道高电平有效,控制高端...
2022-01-02
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MOS器件物理基础讲解课件
该文档为MOS器件物理基础讲解文档,基本概念 简化模型-开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长...
2022-09-13
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