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国产MOS预驱动芯片EG3013 手册 - 资源详细说明
高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力 专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出
LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出
外围器件少
静态电流小：4.5mA 封装形式：SOP-8
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