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TTL-CMOS-ECL-HTL

  • 模拟CMOS集成电路设计

    模拟CMOS集成电路设计

    标签: CMOS 模拟 集成电路设计

    上传时间: 2014-10-27

    上传用户:685

  • 为什么我的CMOS逻辑电路烧起来了

    Abstract: What can be simpler than designing with CMOS and BiCMOS? These technologies are very easy to use butthey still require careful design. This tutorial discusses the odd case of circuits that seem to work but exhibit somepeculiar behaviors—including burning the designer's fingers!

    标签: CMOS 逻辑电路

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:dick_sh

  • LM393中文资料

    LM393是双电压比较器集成电路。中文资料 该电路的特点如下:838电子 工作电源电压范围宽,单电源、双电源均可工作,单电源:2~36V,双电源:±1~±18V; 消耗电流小,Icc=0.8mA;lm393是什么 输入失调电压小,VIO=±2mV; 共模输入电压范围宽,Vic=0~Vcc-1.5V; 输出与TTL,DTL,MOS,CMOS 等兼容; 输出可以用开路集电极连接“或”门;

    标签: 393 LM

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:lxm

  • 带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

    设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明,在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时,运放的直流增益可达到124 dB,单位增益带宽720 MHz,转换速率高达885 V/μs,达到0.1%的稳定精度的建立时间只需4 ns,共模抑制比153 dB。

    标签: CMOS 增益提高 运算 放大器设计

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:jiiszha

  • CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计

    为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计,整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1 mm×1 mm,并参与MPW(多项目晶圆)计划流片,流片测试结果表明,在输出负载很大时,本设计能提供足够的驱动电流,同时延迟时间短、并占用版图面积小。

    标签: CMOS 工艺 多功能 数字芯片

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:小鹏

  • CMOS绿色模式AC_DC控制器振荡器电路

    采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。

    标签: AC_DC CMOS 绿色模式 控制器

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:kangqiaoyibie

  • CMOS器件抗静电措施的研究

    由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS器件不受损伤。

    标签: CMOS 器件 抗静电

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:yupw24

  • 555时基集成电路简介

    555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555,用CMOS 工艺制作的称为7555,除单定时器外,还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在4.5V~16V 工作,7555 可在3~18V 工作,输出驱动电流约为200mA,因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。

    标签: 555 时基集成 电路简介

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:农药锋6

  • CMOS闩锁效应

    闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻通路,大电流,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路

    标签: CMOS 闩锁效应

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:缥缈

  • CMOS模拟开关工作原理

    开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器,当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时,继电器就吸合或释放,其触点接通或断开电路。CMOS模拟开关是一种可控开关,它不象继电器那样可以用在大电流、高电压场合,只适于处理幅度不超过其工作电压、电流较小的模拟或数字信号。 一、常用CMOS模拟开关引脚功能和工作原理  1.四双向模拟开关CD4066  CD4066 的引脚功能如图1所示。每个封装内部有4个独立的模拟开关,每个模拟开关有输入、输出、控制三个端子,其中输入端和输出端可互换。当控制端加高电平时,开关导通;当控制端加低电平时开关截止。模拟开关导通时,导通电阻为几十欧姆;模拟开关截止时,呈现很高的阻抗,可以看成为开路。模拟开关可传输数字信号和模拟信号,可传输的模拟信号的上限频率为40MHz。各开关间的串扰很小,典型值为-50dB。

    标签: CMOS 模拟开关 工作原理

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:bibirnovis