计算方法： 1) A值（相位）的计算：根据设置的相位值D（单位为度，0度-360度可设置），由公式A=D/360，得出A值，按四舍五入的方法得出相位A的最终值； 2) B偏移量值的计算：按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5； 3) C峰峰值的计算：按C=VPP/20V*4095；
上传时间： 2013-11-18
上传用户：xdqm
目前，被广泛使用的经典边缘检测算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。这些算子的核心思想是图像的边缘点是相对应于图像灰度值梯度的局部极大值点。然而，当图像中含有噪声时这些算子对噪声都比较敏感，使得将噪声作为边缘点。由于噪声的干扰，不能检测出真正的边缘。一个拥有良好属性的的边缘检测算法是每个研究者的追求。利用小波交换的特点，设计了三次B样条平滑滤波算子。通过利用这个算子，对利用小波变换来检测图像的边缘进行了一定的研究和理解。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：kqc13037348641
模拟CMOS集成电路设计
上传时间： 2014-10-27
上传用户：685
Abstract: What can be simpler than designing with CMOS and BiCMOS? These technologies are very easy to use butthey still require careful design. This tutorial discusses the odd case of circuits that seem to work but exhibit somepeculiar behaviors—including burning the designer's fingers!
上传时间： 2013-11-03
上传用户：dick_sh
LM393是双电压比较器集成电路。中文资料 该电路的特点如下：838电子 工作电源电压范围宽，单电源、双电源均可工作，单电源：2～36V，双电源:±1～±18V； 消耗电流小，Icc=0.8mA；lm393是什么 输入失调电压小，VIO=±2mV； 共模输入电压范围宽，Vic=0～Vcc-1.5V； 输出与TTL，DTL，MOS，CMOS 等兼容； 输出可以用开路集电极连接“或”门；
上传时间： 2013-11-14
上传用户：lxm
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流水线（Pipelined）ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺，在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明，在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时，运放的直流增益可达到124 dB，单位增益带宽720 MHz，转换速率高达885 V/μs，达到0.1%的稳定精度的建立时间只需4 ns，共模抑制比153 dB。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：jiiszha
为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计，整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺完成版图设计，并在一款多功能数字芯片上使用，版图面积为1 mm×1 mm，并参与MPW（多项目晶圆）计划流片，流片测试结果表明，在输出负载很大时，本设计能提供足够的驱动电流，同时延迟时间短、并占用版图面积小。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：小鹏
采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：kangqiaoyibie
由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS器件不受损伤。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：yupw24
