SiC衬底X波段GaNMMIC的研究博士论文
SiC衬底X波段GaNMMIC的研究博士论文...
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论文仿真原型程序,仿真四种(ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC) Vblast接收的检测性能,绘制误比特率~信噪比曲线。 发端初始化=========================...
Cree公司生产的SiC MOSFET器件,型号C2M00802012D,在应用器件前需要进行双脉冲实验,实验中用到的主电路原理图(包括PCB文件),驱动和测试原理介绍提供在附件中。其中PCB文件是G...
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构,进一步降低了导通电阻;同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装,改...
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基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 分享一个基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 Demo...
半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材...
本应用笔记详细记载了关于罗姆的SiC 器件的特性及使用方法。从分立器件到模块,面向各种应用,SiC器件的优势和使用上的注意点,从初次接触SiC器件到熟知产品的各位,都可以得到应用和帮助...
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