Si基膜片
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Si衬底GaN基材料及器件的研究
GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且...
2022-11-19
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基于小波变换的膜蛋白跨膜螺旋区段预测分析
·摘 要:提出了一种基于离散小波变换的预测膜蛋白跨膜螺旋区段数目和位置的方法。以PDB代码为1F88的膜蛋白为例,描述了该方法对跨膜螺旋区段的数目和位置的预测分析过程。为了测试方法的实际效果,采用19条膜蛋白序列作为测试集,并将预测结果与D...
2024-08-16
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