2SK3878.pdf MOS资料
上传时间： 2020-01-17
上传用户：yhs1023
该手册详细的描述了富士大功率IGBT的说明
上传时间： 2020-05-19
上传用户：wangrui2049
本手册详细说明了富士IGBT预埋NTC温度对照表
上传时间： 2020-05-19
上传用户：wangrui2049
功率MOS管的五种损坏模式详解
标签： mos
上传时间： 2021-10-20
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电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求。其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制，面临诸多挑战。介绍了一种驱动供电电源的设计，并通过实际测试证明其可用性。
上传时间： 2021-10-27
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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该文档为基于MOS管低频功率放大器的设计简介文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
上传时间： 2021-11-15
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该文档为电力电子半导体器件GTR介绍文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
上传时间： 2021-11-15
上传用户：qingfengchizhu
恩智浦智能车双电机MOS管驱动驱动板+jlink ob.
上传时间： 2021-11-15
上传用户：jiabin
IGBT双脉冲测试方法介绍，具体介绍IGBT的测试方法
上传时间： 2021-11-22
上传用户：xsr1983
