5n75为低压管VDss=75V，电流75A适合做电流型控制管和逆变器的逆变管
标签： 75N75 场效应管
上传时间： 2021-06-25
上传用户：xiangshuai
提出一种永磁同步电机新的宽范围弱磁控制策略，根据电机在不同转速段运行时的转矩特性，考虑逆变器的输出电压能力及电机的电流约束条件，以输出最大转矩为目标，分析得出全速范围内的电流矢量控制算法。该方法将全速段分为四个运行区间，可实现恒转矩运行与弱磁控制的快速平滑过渡，使系统在额定转速以下具有恒转矩输出，在高速运行时实现恒功率特性。仿真及实验结果表明，提出的方法可有效拓宽电机的转速运行范围，具有较快的动态响应性能。
标签： 永磁同步电机
上传时间： 2021-12-12
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BMS 与储能 PCS 通信协议（RS485 接口）1.1、协议说明1） 采用RS485通讯接口；2） 标准MODBUS规约；3） 传输方式：异步方式；4） 数据传送速率：9600bit/s，BMS端主动发送，上送间隔500mS；5） 数据传送格式：起始位1位，数据位8位，停止位1位，无校验，低字节在前；6） CRC16：从校验信息字节内容1到信息字节内容14做CRC校验。
上传时间： 2022-01-05
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常用电源类通讯类ST单片机芯片集成库原理图库PCB库AD封装库器件库2D3D库+器件手册合集，已在项目中使用，可以作为你的设计参考。SV text has been written to file : 74系列芯片.csv74HC04 6通道单输入输出反相器74HC138 3线到8线路解码器SN74HCT138 3线到8线路解码器74HC175 四D型触发器的复位触发器74HC573 八路三态同相透明锁存器SN74HCT573 八路三态同相透明锁存器74HC595 8位串行输入/8位串行或并行输出 存储状态寄存器74LS00 四2输入与非门74LS01 四2输入与非门74LS04 十六进制逆变器74LS08 四2输入与门74LS10 三3输入与非门74LS148 8线到3线优先编码器74LS192 双时钟方式的十进制可逆计数器74LS20 双4输入与非门74LS32 四2输入或门74LS74 双路D类上升沿触发器74LS74X2 双路D类上升沿触发器CSV text has been written to file : STM32系列.csvLibrary Component Count : 5Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RET6STM32F103VBT6 STM32F103ZET-AMS1117 三端稳压芯片AOZ1036 LM2576-12 DC降压芯片LM2576-3.3 DC降压芯片LM2576-5.0 DC降压芯片LM2576-ADJ DC降压芯片LM2577-ADJ DC升压芯片LM2596-12 DC降压芯片LM2596-3.3 DC降压芯片LM2596-5.0 DC降压芯片LM2596-ADJLM317 可调线性稳压芯片LM7805 MC34063 REF196 3V3基准电压源REF5040 高精度电压基准SX1308 可调升压芯片TL431_DIP 可调基准稳压芯片TL431_SMD 可调基准稳压芯片TL494 电源管理ICTP4056TPS5430 TPS54331CC2530CH340G DM9000A DM9000CEP DP83848I 网络芯片DS1302 ENC28J60 以太网控制芯片FT232RL
上传时间： 2022-03-03
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电源正朝着高效率,高稳定度,高功率密度,低污染,模块化发展。为了满足输出电压和频率可变的逆变电源的基本指标,调制方式上各种新颖的调制技术不断涌现,控制上各种适合于不同要求的逆变器的控制方案被提了出来。本设计是基于SPWM逆变技术,将由单片机产生的SPWM波输出作为绝缘栅双极晶闸管的驱动信号,最后通过低通滤波,从而在输出端得到一个无失真的正弦信号波形。本文设计了一种交流电力频率转换器(AFC),提高交直流转换器与无功功率控制,其超前相位补偿原理是导致减少当前控制回路的给定线频率带宽的要求。由于这些特性,可使用相对减缓转换功率等设备,因此它可以用于高电平交流线频率。
上传时间： 2022-03-28
上传用户：shjgzh
本书是原书作者在从事电力电子教学与研究的基础上编写而成的。本书第1~7章首先介绍了SPICE语言以及PSpice软件在模拟电路中的简单应用，其后第8~12章介绍了PSpice在电力电子学中的应用，主要涉及DCDC变换器、DCAC逆变器、谐振型变换器、可控式整流器和ACAC变换器的主电路仿真，然后第13章介绍了控制电路的仿真，第14章介绍了直流电动机的建模与仿真，最后介绍了仿真中遇到的一些问题及其解决办法。本书可为从事电力电子相关研究和应用的工程技术人员提供参考，也可作为高等院校相关专业学生的教材使用
上传时间： 2022-04-09
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TMS320F28027 DSP为控制芯片设计的中小功率投切无冲击UPS+软硬件设计源码本文重点研究UPS主电路中蓄电池投切时的实现方法和蓄电池升压电路的实现。主要研究内容如下：1）介绍了UPS系统，给出了系统框图，分析了各个部分的功能，并对其中重要的环节—蓄电池的投切和升压电路做详细分析。2）仿真研究。利用PSIM仿真软件搭建起系统的仿真模型，并对蓄电池的投切和蓄电池升压电路给出仿真结果。通过结果说明该方法正确性。3）硬件实验。以TMS320F28027 DSP为控制芯片，搭建硬件实验平台，给出了实验结果和结论。1. 系统方案 详细说明系统设计的整体思路，用模块的形式指出系统设计的各个关键点，并指出其中使用的关键算法当市电正常时，蓄电池不给逆变器提供能量，通过硬件关断此通道；通过一级Boost升压电路，逆变器输出正弦波经滤波器滤波后供给负载。当市电出现故障时或市电的电能质量在UPS要求的范围之外时，整流桥停止工作，蓄电池输出电压经过两级Boost升压电路将电压抬升至略低于单级Boost输出电压，经逆变器开始给负载提供能量。当输出短路或蓄电池的电压低于允许值时，UPS停止工作，以防止损坏逆变器或者蓄电池。当输出过载时，如果过载是瞬时的，则可以通过控制允许这种情况出现，如果过载时间比较长，则就需要通过转换开关由UPS转到市电给负载供电。
标签： tms320f28027 dsp
上传时间： 2022-05-05
上传用户：trh505
在各种显示技术中，以液晶显示器(LiquidCrystalDisplay)为代表的平板显示器发展最快、应用最广。而在高分辨率的液晶显示器中，为了提高显示画面的质量。人们在每个显示像素上设计了一个非线性的有源薄膜晶体管(TFT―ThinFilmTransistor)来对每一个液晶像素进行独立驱动。因此，这种液晶显示器被称为TFT-LCD。 本文利用苏州友达光电有限公司提供的TFT液晶模块和背光源逆变器，设计并制作了由可编程门阵列(FPGA―FieldProgrammableGateArray)和单片机控制的显示系统。为此，首先深入分析了TFT-LCD的驱动原理，针对苏州友达光电有限公司提供的低压差分信号(LVDS―LowVoltageDifferentialSignaling)接口方式的液晶模块，又进一步分析了LVDS接口信号原理。 在深入分析了液晶显示器驱动原理和LVDS接口特性的基础上，基于FPGA设计了控制显示器行/场同步信号和显示像素信号输出LVDS接口的驱动电路，并采用高性价比的FPGA芯片EP1C3T144和LVDS发送器芯片DS90C387制作和调试了相应的电路。 同时，苏州友达光电有限公司为液晶显示模块的CCFL(ColdCathodeFluorescentLamp)背光源提供一块逆变器。针对该逆变器，本文设计了基于单片机、D/A转换器和三端可调稳压电源模块的输出可调的直流稳压电源来控制逆变器的工作，从而实现了对背光源亮暗的调节。该电源电路能将输出的电压值的大小用数码管实时的显示出来。 经过实际调试运行，本文设计的LVDS接口的TFT液晶显示模块驱动电路，和单片机控制的直流稳压可调电源，能够有效驱动TFT-LCD，并控制其像素的显示。
上传时间： 2022-05-31
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目前以IGBT为开关器件的串联谐振感应加热电源在大功率和高频下的研究是一个热点和难点，为弥补采用模拟电路搭建而成的控制系统的不足，对感应加热电源数字化控制研究是必然趋势。本文以串联谐振型感应加热电源为研究对象，采用T公司的TMS320F2812为控制芯片实现电源控制系统的数字化。首先分析了串联诺振型感应加热电源的负载特性和调功方式，确定了采用相控整流调功控制方式，接着分析了串联诺振逆变器在感性和容性状态下的工作过程确定了系统安全可靠的运行状态。本文设计了电源主电路参数并在Matlab/Simulink仿真环境下搭建了整个系统，仿真分析了串联谱振型感应加热电源的半压启动模式及锁相环频率跟踪能力和功率调节控制。针对感应加热电源的数字控制系统，在讨论了晶闸管相控触发和锁相环的工作原理及研究现状下详细地分析了本课题基于DSP晶闸管相控脉冲数字触发和数字锁相环（DPL）的实现，得出它们各自的优越性，同时分析了感应加热电源的功率控制策略，得出了采用数字PI积分分离的控制方法。本文采用T1公司的TMS320F2812作为系统的控制芯片，搭建了控制系统的DSP外围硬件电路，分析了系统的运行过程并编写了整个控制系统的程序。最后对控制系统进行了试验，验证了理论分析的正确性和控制方案的可行性。
上传时间： 2022-06-20
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MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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