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研究SOI NMOS器件在单粒子效应下电荷积累特性的技术论文,涵盖器件物理与辐射效应分析,适用于集成电路可靠性设计参考。...

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文章介绍了对国内首次研制成功的航天用SOI 工艺16 位微处理器1750A 进行抗辐射效应地面模拟试验的情况,分析了试验结果,初步预估了该器件的抗辐射效应能力,为该器件在空间环境中的应用提供了...

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