Resistance
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Resistance 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 59 篇文章，持续更新中。
最新FPC生产流程介紹
<p>SMT（Surface mount technology）</p><p>是可在“板面上”满及焊牢栖多</p><p>敷“表面黏装零件的電子装配技术.</p><p>侵贴：1.可在板上雨成同特焊接，封装密度提高50~70%.</p><p>WW2.l短，提高博输速度</p><p>3.可使用更高删敷.</p><p>4.自勤化，快速，成本低.</p><p>1.表面贴装零件</p><p>SOIC（smal
霍尔元件 NHE313 技术手册
<p>This is a high sensitivity type of Nicera Hall element using evaporated InSb</p><p>film.</p><p>It performs effectively in low magnetic fields due to the high sensitivity.</p><p>The input and output
hall元件NHE520F
<p>・This is a high sensitivity type of Nicera Hall element using evaporated InSb</p><p>film.</p><p>・It performs effectively in low magnetic fields due to the high sensitivity.</p><p>・The input and out
基于ICL8038等构成的函数发生器电路
<p>摘要：</p><p>本系统以ICL8038集成块为核心器件，制作一种函数信号发生器，制作成本较低。</p><p>适合学生学习电子技术测量使用。ICL8038是一种具有多种波形输出的精密振荡集成电路，只需要个别的外部元件就能产生从0.001Hz~30KlHz的低失真正弦波、三角波、矩形波等脉冲信号。输出波形的频率和占空比还可以由电流或电阻控制。另外由于该芯片具</p><p>有调制信号输入端，所
万能模拟信号输入采集电路
<p>介绍一种万能模拟信号输入采集电路,可以同时支持电压、电流、热电偶、热电阻等常见的工业类型信号,方便后级电路的测量。该研究成果通过不断优化和完善,已成功应用到了中控仪表的新产品中。</p><p>The paper introduces a collection circuit of universal signal input. The circuit support voltage, cur
一种低成本高可靠的SFP+光收发模块电路研究与实现
<p>本文首次设计并验证了基于macom三合一芯片设计的光模块电路,该电路旨在提供一种满足SFF-8472中规定的数字诊断功能的低成本SFP+模块。电路采用激光器驱动、限幅放大器、控制器以及时钟恢复单元集成的单芯片,在保证高精度数字诊断功能基础上,实现了低成本高可靠的特点。该电路在光接收接口组件与激光器驱动和限幅放大器单元的限幅放大器部分之间接入滤波器来提高模块的灵敏度及信号质量。在控制器单元的数
电流检测电路中运算放大器与ADC的设计
<p>电学中的测量技术涉及范围非常广,电流测量在电学计量中占有非常重要的位置。如何精确地进行电流测量是精密测量的一大难题。传统的电流检测电路多采用运算放大芯片与片外电流检测电路相结合的方式,电路集成度很低,需要较多的接口和资源才能完成对电路的检测。本文把所有电路部分都集成在一块芯片上,包括检测电阻,运算放大器电路及模拟转数字转换电路,从而在电路内部可以进行电流检测,使电路更好的集成化。前置电路使用
基于STM32单片机设计的非接触式电流检测控制系统
<p>本系统基于STM32单片机设计的非接触式电流检测控制系统,通过OPA548片将所给任意信号放大,由100Ω电阻和INA128芯片进行电流电压转换放大后,利用STM32单片机对获取的电压信号以0.488μs频率采样,利用STM32单片机的FFT库,获得信号的谐波信息。测量电流信号精准,该设计可广泛应用在以STM32单片机为核心控制器件的新型仪表中,性能精准且抗干扰能力强。</p><p>This
直流电动机测速装置
<p>本系统采用电动机电枢供电回路串接采样电阻的方式来实现对小型直流有刷电动机的转速测量。该系统主要由二阶低通滤波电路,小信号放大电路、单片机测量显示电路、开关稳压电源电路等组成。同时自制电机测速装置,用高频磁环作为载体,用线圈绕制磁环,利用电磁感应原理检测电机运行时的漏磁,将变化的磁场信号转化为磁环上的感应电流。用信号处理单元电路将微弱电信号转化为脉冲信号,送由单片机检测,从而达到准确测量电机的
S32K144的主从式BMS主控单元设计
<p>目前电动汽车主要以锂电池作为动力来源,为了提高锂电池的使用时间和安全性,为锂电池提供安全良好的运行环境,电池管理系统应运而生。BMS主控单元基于S32K144汽车级单片机,通过主从式网络控制结构能够对锂电池的各个参数进行采集与分析。采用扩展卡尔曼滤波对电池的荷电状态(SOC)进行估算,克服普通估算方法无法避免电池内阻误差的缺点,通过Matlab/Simulink软件仿真验证可使估算误差达到2
Altium Designer常用器件集成库PCB封装库原理图库3D库元件库
<p>Altium Designer常用器件集成库PCB封装库原理图库3D库元件库</p><p></p><p>集成库原理图器件型号列表：76个</p><p>13W3 </p><p>2N7002 &n
PW2301A_2.0.pdf规格书下载
<p>The PW2301A uses advanced trench It utilizes the latest processing techniques to achieve the high<br/>cell density and reduces the on-resistance with high repetitive avalanche rating. These feature
PW2606B.pdf规格书下载
<p>The PW2606B is a front-end over voltage and over current protection device. It achieves wide input<br/>voltage range from 2.5VDC to 40VDC. The over voltage threshold can be programmed externally or
PW4203_2.0.pdf规格书下载
<p>PW4203 is a 4.5-22V input, 2A multi-cell synchronous Buck Li-Ion battery charger, suitable for<br/>portable application. Select pin is convenient for multi-cell charging. 800 kHz synchronous buck<b
PCB的电磁兼容设计.pdf
<p></p>PCB的电磁兼容设计.pdf<p>PCB thermal resistance的分析和计算.pdf<br/></p>
音频放大器设计
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This design uses Common-Emitter Amplifier (Class A) with 2N3904 Bipolar Junction Transistor.<span style="display:none;" id="__kindeditor_bookmark_start_6__"></span>
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<ul>
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ESD Protection in CMOS ICs
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微<br />
米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造<br />
成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。<br />
在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain)
Dual USB High-Side Power Switch
The SP2526A device is a dual +3.0V to +5.5V USB Supervisory Power Control Switch ideal<br />
for self-powered and bus-powered Universal Serial Bus (USB) applications. Each switch has<br />
low on-resi
Spread-spectrum techniques are methods by which electromagnetic energy generated in a particular ban
Spread-spectrum techniques are methods by which electromagnetic energy generated in a particular bandwidth is deliberately spread in the frequency domain, resulting in a signal with a wider bandwidth.
场效应管产品指南
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The super-junction structure, which has P-type pillar layers as shown left,<br />
realizes high withstand voltage and ON-resistance lower than the conventional<br />
theoretical limit of silico