射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm&Quot;1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm&Quot;1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
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1、弧焊逆变器的基本结构1.1弧焊逆变器的基本原理采用逆变技术的装置称为逆变器，而用于电弧焊的逆变器则称为弧焊逆变器。弧焊逆变器的基本原理方框图如图1-1所示。由图可见，三相50Hz的交流网路电压先经输入整流器整流和滤波，经过大功率开关电子元件的交替开关作用，变成几百赫兹到几十千赫兹的高频电压，经高频变压器降至适合焊按的电压，再用输出整流器整流并经电抗器滤波，则可将中频交流变为直流输出。在弧焊逆变器中可采用如下两种模式：&Quot;AC-DC-AC&Quot;或&Quot;AC-DC-AC-DC&Quot;，根据不同弧炉工艺的需要，通过电子控制电路和电弧电压、电流反馈，弧焊逆变器即可获得各种不同的输出特性。1，2逆变技术和微机技术在弧焊电源中的应用逆变电源运用先进的功率电了器件和高频逆变技术，比传统的工频整流电源的材料减少80%～90%，节能20%~30%，动态反应速度提高2-3个数量级。这种“明天的电源”正在以极高的速度变成今天的电源，并且随着功率开关元器件、微电子技术和控制技术的发展，不断研究开发出新的技术成果和新产品，使得逆变电源向着高频化、轻量化、模块化、智能化和大容量化方向发展。
上传时间： 2022-06-21
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变频,vf200,手册,单相200V输入型项目规格标准适用电机输出(kW)0.2～2.2kW额定输出额定电压单相200～230V AC(电源电压比例)过负载电流额定值额定输出电流的150% 1分钟输入电源相数?电压?频率单相200～230V AC 50/60Hz电压允许变动额定输入交流电压的+10%、-15%频率允许变动额定输入频率的±5%瞬时压降耐量165V AC以上继续运转，降至165V AC以下时继续运转15ms
上传时间： 2022-06-21
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5G，第五代移动通信技术，也是4G之后的延伸，目前正在研究中。目前还没有任何电信公司或标准订定组织（像3GPP，WiMAX论坛及ITU-R）的公开规格或官方文件有提到5G。按照业内初步估计，包括5G在内的未来无线移动网络业务能力的提升将在3个维度上同时进行：1）通过引入新的无线传输技术将资源利用率在4G的基础上提高10倍以上；2）通过引入新的体系结构（如超密集小区结构等）和更加深度的智能化能力将整个系统的吞吐率提高25倍左右；3）进一步挖掘新的频率资源（如高频段、毫米波与可见光等），使未来无线移动通信的频率资源扩展4倍左右.5G有以下特点：1）5G研究在推进技术变革的同时将更加注重用户体验，网络平均吞吐速率、传输时延以及对虚拟现实、3D、交互式游戏等新兴移动业务的支撑能力等将成为衡量5G系统性能的关键指标.2）与传统的移动通信系统理念不同，5G系统研究将不仅仅把点到点的物理层传输与信道编译码等经典技术作为核心目标，而是从更为广泛的多点、多用户、多天线、多小区协作组网作为突破的重点，力求在体系构架上寻求系统性能的大幅度提高.3）室内移动通信业务已占据应用的主导地位，5G室内无线覆盖性能及业务支撑能力将作为系统优先设计目标，从而改变传统移动通信系统“以大范围覆盖为主、兼顾室内&Quot;的设计理念.4）高频段频谱资源将更多地应用于5G移动通信系统，但由于受到高频段无线电波穿透能力的限制，无线与有线的融合、光载无线组网等技术将被更为普遍地应用.5）可“软”配置的5G无线网络将成为未来的重要研究方向，运营商可根据业务流量的动态变化实时调整网络资源，有效地降低网络运营的成本和能源的消耗.
上传时间： 2022-06-21
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代码跑出来的概率统计问题；程序员的概率统计开心辞典；开放数据集，全代码攻略。现实工作中，人们常被要求用数据说话。可是，数据自己是不能说话的，只有对它进行可靠分析和深入挖掘才能找到有价值的信息。概率统计是数据分析的通用语言，是大数据时代预测未来的根基。站在时代浪尖上的程序员只有具备统计思维才能掌握数据分析的必杀技。本书正是一本概率统计方面的入门图书，但视角极为独特，折射出大数据浪潮的别样风景。作者将基本的概率统计知识融入Python编程，告诉你如何借助编写程序，用计算而非数学的方式实现统计分析。一个趣味实例贯穿全书，生动地讲解了数据分析的全过程：从采集数据和生成统计量，到识别模式和检验假设。一册在手，让你轻松掌握分布、概率论、可视化以及其他工具和概念。
上传时间： 2022-06-21
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自20世纪80年代以来，以IGBT为代表的双极型复合器件的迅速发展，使得电力电子器件沿着高电压、大电流、高频化、模块化的方向发展，逆变技术日趋大容量化、高性能化，这使得采用大功率逆变电源作为舰船的主要供电电源成为可能。以igBT为主开关件的船大功逆变电源设计中，由于 KBт开关频率、开关速度的提高以及容量的提升（目前3 300 V-1 500 A的 KBT模块已投入实际应用），流经KBT的电流迅速变化，主电路母线的分布电感产生的瞬时电压尖峰会施加在KBT两端，如果处理不当，会使KBT的开关工作轨迹超出器件的SOA（Safe Operation Area安全工作区域），从而对逆变电源的正常运行构成威胁&Quot;1.本文对大功率逆变电源KBT关断时产生电压尖峰的机理进行了说明，并对影响关断电压尖峰的主要因素进行了分析。通过应用叠层复合母排降低了主电路母线的分布电感，通过设计合适的吸收电路改善了开关轨迹，从而抑制关断电压尖峰，使大功率逆变电源的开关器件运行在可靠的工作范围内。
上传时间： 2022-06-21
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2011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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RTS5411 USB3.0 HUB Controller v1.22011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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第一章 RFID基础知识简介1.1 RFID的定义RFID是什么？RFID是Radio Frequency Identification的缩写，即射频识别，俗称电子标签。RFID其主要核心部件是一个电子标签，直径仅为2毫米不到，通过相距几厘米到几米距离内传感器发射的无线电波，可以读取电子标签内储存的信息，识别电子标签代表的物品、人和器具的身份。1.2 RFID射频识别技术的概念RFID射频识别是一种非接触式的自动识别技术，它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据，识别工作无须人工干预，可工作于各种恶劣环境。RFID技术可识别高速运动物体并可同时识别多个标签，操作快捷方便。埃森哲实验室首席科学家弗格森认为RFID是一种突破性的技术：&Quot;第一，可以识别单个的非常具体的物体，而不是像条形码那样只能识别一类物体；第二，其采用无线电射频，可以透过外部材料读取数据，而条形码必须靠激光来读取信息；第三，可以同时对多个物体进行识读，而条形码只能一个一个地读。此外，储存的信息量也非常大。
上传时间： 2022-06-22
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工作原理分析，主要分析电阻负载时的情况：1，任一相导通须和另一相构成回路，因此，和三相全控整流电路一样，电流流通路径中有两个晶闸管，所以应采用双脉冲或宽脉冲触发。2，三相的触发脉冲依次相差120&Quot;，同一相的两个反并联晶闸管触发脉冲应相差180因此触发脉冲顺序和三相桥式全控整流电路一样，为VTI vT6，依次相差6003，如果把晶闸管换成二极管可以看出，相电流和相电压同相位，且相电压过零食二极管开始导通。因此把相电压过零点定为触发延迟角a的起点，三相三线电路中，两相间导通是靠线电压导通的，而线电压超前相电压30&Quot;，因此，a角移范围是0~ 150根据任一时刻导通晶闸管个数及半个周波内电流是否连续，可将0&Quot;-150&Quot;的移相范围分为如下三段：（1）0&Quot;< a<60&Quot;：电路处于三管导通与两管导通交替，每管导通180&Quot;-a。但a-0时是种特殊情况，一直是三管导通。（2）60&Quot;<a< 90：任一时刻都是两管导通，每管的导通角都是120（3）90&Quot;<a< 150&Quot;：电路处于两管号通与无晶同管导通交替状态，每个晶闸管导通角为300-2a。而且这个导通角被分割为不连续的两部分，在半周波内形成两个断续的波头，各占150&Quot;-a.
上传时间： 2022-06-22
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