Q01、如何使一条走线至两个不同位置零件的距离相同? 您可先在Design/Rule/High Speed/Matched Net Lengths的规则中来新增规则设定,最 后再用Tools/EqualizeNet Lengths 来等长化即可。 Q02、在SCHLIB中造一零件其PIN的属性，如何决定是Passive, Input, I/O, Hi- Z,Power,…..？在HELP中能找到说明吗？市面有关 SIM？PLD？的书吗？或贵公司有讲义？ 你可在零件库自制零件时点选零件Pin脚,并在Electrical Type里,可以自行设定PIN的 属性,您可参考台科大的Protel sch 99se 里 面有介绍关于SIM的内容。 Q03、请问各位业界前辈,如何能顺利读取pcad8.6版的线路图,烦请告知 Protel 99SE只能读取P-CAD 2000的ASCII档案格式,所以你必须先将P-CAD8.6版的格式 转为P-CAD 2000的档案格式,才能让Protel读取。
标签： Protel
上传时间： 2013-11-22
上传用户：daxigua
ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 东芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 东芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
上传时间： 2013-10-10
上传用户：13162218709
转速传感器信号隔离变送器,正弦波整形 主要特性: >> 转速传感器信号直接输入，整形调理方波信号 >> 200mV峰值微弱信号的放大与整形 >> 正弦波、锯齿波信号输入，方波信号输出 >> 不改变原波形频率，响应速度快 >> 电源、信号：输入/输出 3000VDC三隔离 >> 供电电源：5V、12V、15V或24V直流单电源供电 >> 低成本、小体积，使用方便，可靠性高 >> 标准DIN35 导轨式安装 >> 尺寸：106.7x79.0x25.0mm >> 工业级温度范围: - 45 ~ + 85 ℃ 应用： >> 转速传感器信号隔离、采集及变换 >> 汽车速度测量 >> 汽车ABS防抱死制动系统 >> 转速信号放大与整形 >> 地线干扰抑制 >> 电机转速监测系统 >> 速度测量与报警 >> 信号无失真变送和传输 产品选型表： DIN11 IAP – S□ - P□ – O□ 输入信号 供电电源 输出信号 特点 代码 Power 代码 特点 代码 正负信号输入，正弦波输入 幅度峰峰值（VP-P）：200mV~50V S1 24VDC P1 输出电平0-5V O1 单端信号输入， 幅度峰峰值（VP-P）：5V S2 12VDC P2 输出电平0-12V O2 单端信号输入， 幅度峰峰值（VP-P）：12V S3 5VDC P3 输出电平0-24V O3 单端信号输入， 幅度峰峰值（VP-P）：24V S4 15VDC P4 集电极开路输出 O4 用户自定义 Su 用户自定义 Ou 产品选型举例： 例 1：输入：转速传感器，正弦波VP-P：200mV~10V；电源：24V ；输出：0-5V电平 型号：DIN11 IAP S1-P1-O1 例 2：输入：转速传感器，正弦波VP-P：200mV~10V；电源：12V ；输出：0-24V电平 型号：DIN11 IAP S1-P2-O3 例 3：输入：0-5V电平；电源：24V ；输出：0-24V电平 型号：DIN11 IAP S2-P1-O3 例 4：输入：0-5V电平；电源：12V ；输出：集电极开路输出 型号：DIN11 IAP S2-P2-O4 例 5：输入：用户自定义；电源：24V ；输出：用户自定义 型号：DIN11 IAP Su-P1-Ou
上传时间： 2013-10-22
上传用户：hebanlian
AD9880中的色彩空间转换矩阵(CSC)是一个3 × 3矩阵，可提供矩阵中所有系数下的完全编程能力。每个系数均为12位宽，以保持信号完整性。CSC可在高达150 MHz的速度下运行，在60 Hz速率时支持1080 p。CSC支持“任意至任意”色彩空间，支持RGB、YUV、YCrCb等格式。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：dragonhaixm
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载能力（电流输出＞650ω,电压输出≥2kω）能实现小信号远程无失真的传输。 ic内部可采用陶瓷基板、印刷电阻全smt的可靠工艺制作及使用新技术隔离措施，使器件能满足信号输入/输出/辅助电源之间3kv三隔离和工业级宽温度、潮湿震动等现场环境要求。外接满度校正和零点校正的多圈电位器可实现 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信号之间的隔离和转换。（精度线性高，隔离电压3000vdc）
上传时间： 2014-12-23
上传用户：392210346
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
越柬越多的应用 例如过程控制、称重等 都需要高分辨率、高集成度和低价格的ADC。 新型Σ ．△转换技术恰好可以满足这些要求 然而， 很多设计者对于这种转换技术并不 分了解， 因而更愿意选用传统的逐次比较ADC Σ．A转换器中的模拟部分非常简单(类似j 个Ibit ADC)， 而数字部分要复杂得多， 按照功能町划分为数字滤波和抽取单元 由于更接近r 个数字器件，Σ △ADC的制造成本非常低廉.
标签： ADC
上传时间： 2013-10-24
上传用户：han_zh
本文叙述了研制的应用于VSAT卫星通信的Ku波段30W固态功率放大器(SSPA)。阐述了该固态功率放大器的方案构成和关键部分的设计，包括功率合成网络、微带．波导转换的设计；功率合成电路的设计，特别是波导魔T的优化设计。研制的30W固态功率放大器的主要性能为：中心频率14．25GHz，带宽500MHz，P．1dB输出功率30W，大信号增益45dB，带内波动小于5dB。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：robter
