怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSFET ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-22
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TMC5160将强大的步进电机驱动器和运动控制器集成在一块芯片上，将数字信息直接转换为平滑，精确，可靠的物理运动。外扩N沟道MOSFETs，每个线圈的电机电流可达20A，最大电压60V DC；使用起来非常简单，只需要目标位置即可。所有步进电机逻辑都在TMC5160内部运行 - 当驱动NEMA17到NEMA34和更大的电机时，不需要软件。通过行业标准SPI或步进/方向接口连接到主机微控制器，TMC5160执行所有实时位置和速度步进运动计算。而且TMC5160还支持ABN编码器输入。
上传时间： 2022-07-02
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基于51无刷电机控制器，制作简单，仿真已经实验成功。此驱动电路采用以3片IR2110为中心的6个N沟道的MOSFET管组成的三相全桥逆变电路，仅对上桥臂功率MOSFET管进行PWM调制的控制方式。其输入是以功率地为地的PWM波，送到IR2110的输入端口，输出控制N沟道的功率驱动管MOSFET的开关，由此驱动无刷直流电动机。
上传时间： 2022-07-02
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38_ 固定频率振荡器.wmv 273.5M2020-04-01 17:39 39_ 无线发射与接收.wmv 253.3M2020-04-01 17:39 40_ 收音机.wmv 253.4M2020-04-01 17:39 41_ 单向可控硅.wmv 246.6M2020-04-01 17:39 42_ 过流保护电路.wmv 278.5M2020-04-01 17:39 43_ 稳压电源.wmv 275.1M2020-04-01 17:39 44_ N沟道场馆.wmv 247.4M2020-04-01 17:39 45_ P沟道场管.wmv 266.8M2020-04-01 17:39 46_ 电阻复习.wmv 257.9M2020-04-01 17:39 47_ 电容复习.wmv 280M2020-04-01 17:39 48_ 震荡电路复习.wmv 238.7M2020-04-01 17:39
上传时间： 2013-07-31
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38_ 固定频率振荡器.wmv 273.5M2020-03-03 16:46 39_ 无线发射与接收.wmv 253.3M2020-03-03 16:46 40_ 收音机.wmv 253.4M2020-03-03 16:46 41_ 单向可控硅.wmv 246.6M2020-03-03 16:46 42_ 过流保护电路.wmv 278.5M2020-03-03 16:46 43_ 稳压电源.wmv 275.1M2020-03-03 16:46 44_ N沟道场馆.wmv 247.4M2020-03-03 16:46 45_ P沟道场管.wmv 266.8M2020-03-03 16:46 46_ 电阻复习.wmv 257.9M2020-03-03 16:46 47_ 电容复习.wmv 280M2020-03-03 16:46 48_ 震荡电路复习.wmv 238.7M2020-03-03 16:46 …………
上传时间： 2013-05-29
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ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 东芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 东芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
上传时间： 2013-10-10
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MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
上传时间： 2013-12-09
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很实用的
上传时间： 2013-10-27
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很实用的
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AO3403
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