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金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。[1]MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

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设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极...

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功率MOSFET应用于开关电源时应注意以下几个问题。　　1、栅极电路的阻抗非常高，易翼静电损坏。　　2、直流输入阻抗高，但输入容量大，高频时输入阻抗低，因此，需要降低驱动电路阻抗。　　3、并联工作时容易产生高频振荡。　　4、导通时电流冲击大，易产生过电流。　　5、很多情况下，不能原封不动地用于双极型...

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功率 mosfet 开关电源

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