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Mosfet <b>Power</b> Loss

  • j1939 附录a附录b

    j1939 附录a附录b

    标签: j1939

    上传时间: 2022-06-09

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  • 工业仪表显示,收音机LCD驱动,音箱/音响LCD段码屏驱动:VK2C21A/B/C/D(裸片可订货)

    产品型号:VK2C21A/B/C/D 产品品牌:VINKA/永嘉微/永嘉微电 封装形式:SOP28/24/20/16 裸片:DICE(邦定COB)/COG(邦定玻璃用) 产品年份:新年份 联 系 人:许硕  Q Q:191 888 5898 联系手机:18898582398(信) 原厂直销,工程服务,技术支持,价格最具优势!QT459 VK2C21A/B/C/D概述: VK2C21是一个点阵式存储映射的LCD驱动器,可支持最大80点(20SEGx4COM)或者最大128点(16SEGx8COM)的LCD屏。单片机可通过I2C接口配置显示参数和读写显示数据,也可通过指令进入省电模式。其高抗干扰,低功耗的特性适用于水电气表以及工控仪表类产品。 特点: ★  工作电压 2.4-5.5V ★  内置32 kHz RC振荡器 ★  偏置电压(BIAS)可配置为1/3、1/4 ★  COM周期(DUTY)可配置为1/4、1/8 ★  内置显示RAM为20x4位、16x8位 ★  帧频可配置为80Hz、160Hz ★  省电模式(通过关显示和关振荡器进入)

    标签: VK2C21 VK2C21A VK2C21B VK2C21C VK2C21D LCD抗干扰段码屏驱动 段码屏驱动抗干扰

    上传时间: 2022-06-09

    上传用户:2937735731

  • NTC计算公式 温度公式B值计算法

    描述了NTC使用B值计算出实际温度与输出的电压之间的关系。

    标签: ntc计算

    上传时间: 2022-06-15

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  • Quectel Wireless Solutions BC20-TE-B 原理图 V1.2

    BC20-TE-B NB-Iot 评估板评估板原厂原理图V1.2。完整对应实物装置。

    标签: BC20 NB-Iot Quectel

    上传时间: 2022-06-17

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  • ASR M08-B资料

    ASR M08-B设置软件 V3.2  arduino 2560+ASRM08-B测试程序  arduino UNO+ASRM08-B测试程序语音控制台灯电路图及C51源码(不带校验码) 继电器模块设置。   ASR M08-B是一款语音识别模块。首先对模块添加一些关键字,对着该模块说出关键字,串口会返回三位的数,如果是返回特定的三位数字,还会引起ASR M08-B的相关引脚电平的变化。【测试】①打开“ASR M08-B设置软件 V3.2.exe”。②选择“串口号”、“打开串口”、点选“十六进制显示”。③将USB转串口模块连接到语音识别模块上。接线方法如下:语音模块TXD --> USB模块RXD语音模块RXD --> USB模块TXD语音模块GND --> USB模块GND语音模块3V3 --> USB模块3V3(此端为3.3V电源供电端。)④将模块的开关拨到“A”端,最好再按一次上面的大按钮(按一次即可,为了确保模块工作在正确的模式)。⑤对着模块说“开灯”、“关灯”模块会返回“0B”、“0A”,表示正常(注意:0B对应返回值010,0B对应返回值010,返回是16进制显示的嘛,设置的时候是10进制设置的)。

    标签: ASR M08-B

    上传时间: 2022-07-06

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  • 射频与微波功率放大器设计.rar

    本书主要阐述设计射频与微波功率放大器所需的理论、方法、设计技巧,以及将分析计算与计算机辅助设计相结合的优化设计方法。这些方法提高了设计效率,缩短了设计周期。本书内容覆盖非线性电路设计方法、非线性主动设备建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗变换器、定向耦合器、高效率的功率放大器设计、宽带功率放大器及通信系统中的功率放大器设计。  本书适合从事射频与微波动功率放大器设计的工程师、研究人员及高校相关专业的师生阅读。 作者简介 Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO电子部门首席理论设计工程师,他曾经任教于澳大利亚Linz大学、新加坡微电子学院、莫斯科通信和信息技术大学。他目前正在讲授研究班课程,在该班上,本书作为国际微波年会论文集。 目录 第1章 双口网络参数  1.1 传统的网络参数  1.2 散射参数  1.3 双口网络参数间转换  1.4 双口网络的互相连接  1.5 实际的双口电路   1.5.1 单元件网络   1.5.2 π形和T形网络  1.6 具有公共端口的三口网络  1.7 传输线  参考文献 第2章 非线性电路设计方法  2.1 频域分析   2.1.1 三角恒等式法   2.1.2 分段线性近似法   2.1.3 贝塞尔函数法  2.2 时域分析  2.3 NewtOn.Raphscm算法  2.4 准线性法  2.5 谐波平衡法  参考文献 第3章 非线性有源器件模型  3.1 功率MOSFET管   3.1.1 小信号等效电路   3.1.2 等效电路元件的确定   3.1.3 非线性I—V模型   3.1.4 非线性C.V模型   3.1.5 电荷守恒   3.1.6 栅一源电阻   3.1.7 温度依赖性  3.2 GaAs MESFET和HEMT管   3.2.1 小信号等效电路   3.2.2 等效电路元件的确定   3.2.3 CIJrtice平方非线性模型   3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非线性模型   3.2.5 Materka—Kacprzak非线性模型   3.2.6 Raytheon(Statz等)非线性模型   3.2.7 rrriQuint非线性模型   3.2.8 Chalmers(Angek)v)非线性模型   3.2.9 IAF(Bemth)非线性模型   3.2.10 模型选择  3.3 BJT和HBT汀管   3.3.1 小信号等效电路   3.3.2 等效电路中元件的确定   3.3.3 本征z形电路与T形电路拓扑之间的等效互换   3.3.4 非线性双极器件模型  参考文献 第4章 阻抗匹配  4.1 主要原理  4.2 Smith圆图  4.3 集中参数的匹配   4.3.1 双极UHF功率放大器   4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器  4.4 使用传输线匹配   4.4.1 窄带功率放大器设计   4.4.2 宽带高功率放大器设计  4.5 传输线类型   4.5.1 同轴线   4.5.2 带状线   4.5.3 微带线   4.5.4 槽线   4.5.5 共面波导  参考文献 第5章 功率合成器、阻抗变换器和定向耦合器  5.1 基本特性  5.2 三口网络  5.3 四口网络  5.4 同轴电缆变换器和合成器  5.5 wilkinson功率分配器  5.6 微波混合桥  5.7 耦合线定向耦合器  参考文献 第6章 功率放大器设计基础  6.1 主要特性  6.2 增益和稳定性  6.3 稳定电路技术   6.3.1 BJT潜在不稳定的频域   6.3.2 MOSFET潜在不稳定的频域   6.3.3 一些稳定电路的例子  6.4 线性度  6.5 基本的工作类别:A、AB、B和C类  6.6 直流偏置  6.7 推挽放大器  6.8 RF和微波功率放大器的实际外形  参考文献 第7章 高效率功率放大器设计  7.1 B类过激励  7.2 F类电路设计  7.3 逆F类  7.4 具有并联电容的E类  7.5 具有并联电路的E类  7.6 具有传输线的E类  7.7 宽带E类电路设计  7.8 实际的高效率RF和微波功率放大器  参考文献 第8章 宽带功率放大器  8.1 Bode—Fan0准则  8.2 具有集中元件的匹配网络  8.3 使用混合集中和分布元件的匹配网络  8.4 具有传输线的匹配网络    8.5 有耗匹配网络  8.6 实际设计一瞥  参考文献 第9章 通信系统中的功率放大器设计  9.1 Kahn包络分离和恢复技术  9.2 包络跟踪  9.3 异相功率放大器  9.4 Doherty功率放大器方案  9.5 开关模式和双途径功率放大器  9.6 前馈线性化技术  9.7 预失真线性化技术  9.8 手持机应用的单片cMOS和HBT功率放大器  参考文献

    标签: 射频 微波功率 放大器设计

    上传时间: 2013-04-24

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  • CR6221 Current Mode PWM Power Switch

    CR6221 combines a dedicated current mode PWM controller with a high voltage power MOSFET. It is opti

    标签: Current Switch Power 6221

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:brucewan

  • CR6228 Current Mode PWM Power Switch

    CR6228 combines a dedicated current mode PWM controller with a high voltage power MOSFET. It is opti

    标签: Current Switch Power 6228

    上传时间: 2013-05-17

    上传用户:natopsi

  • 实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究

    摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MoSFET驱动电路具有指导意义.

    标签: MOSFET Power 实际应用 条件下

    上传时间: 2013-11-10

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  • 磁芯电感器的谐波失真分析

    磁芯电感器的谐波失真分析 摘  要:简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB,从而降低总谐波失真THD的历史过程,分析了诸多因数对谐波测量的影响,提出了磁心性能的调控方向。 关键词:比损耗系数, 磁滞常数ηB ,直流偏置特性DC-Bias,总谐波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年来,变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家,在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上,进行了深入的探讨和广泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施,促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。  一、 历史回顾 总谐波失真(Total harmonic distortion) ,简称THD,并不是什么新的概念,早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17-78“载波用铁氧体罐形磁心”中,规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示,利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法,专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统,其非线性失真有很严格的要求。  图中  ZD   —— QF867 型阻容式载频振荡器,输出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通滤波器,阻抗 150Ω,阻带衰耗大于61dB,       Lg88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 选频电平表,输入高阻抗, L ——被测无心罐形磁心及线圈, C  ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时,所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝, (线架为一格) , 其空心电感值为 318μH(误差1%) 被测磁心配对安装好后,先调节振荡器频率为 36.6~40KHz,  使输出电平值为+17.4 dB, 即选频表在 22′端子测得的主波电平 (P2)为+17.4 dB,然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平(P3), 则三次谐波衰耗值为:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 为放大器增益dB 从以往的资料引证, 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作,其中测量系统的高、低通滤波器,信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严,阻抗必须匹配,薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成,以保证本身的“洁净” ,不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求, 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初,1409 所和四机部、邮电部各厂,从工艺上改变了推板空气窑烧结,出窑后经真空罐冷却的落后方式,改用真空炉,并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料,在此基础上,还实现了高μ7000~10000材料的突破,从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM(频率划分调制)向PCM(脉冲编码调制) 转换时期, 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ,100KHz)的超优铁氧体材料<3>,其磁滞系数降为优铁

    标签: 磁芯 电感器 谐波失真

    上传时间: 2014-12-24

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