MosFet

共 15 篇文章
MosFet 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 15 篇文章,持续更新中。

功率MOSFET并联应用

从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。

MOSFET应用分析

华为工程师培训教材模拟电子共含有上下两册,是个不错的资源! ..

功率MOSFET驱动保护电路方案

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120314142512R5.jpg" styl

MAX17600数据资料

&nbsp;The MAX17600&ndash;MAX17605 devices are high-speedMOSFET drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greate

高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究

本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外,对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。

MOS管驱动电路总结

下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120401152045144.jpg" />

宽频带高功率射频脉冲功率放大器

利用MOS场效应管(MOSFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块,其输出脉冲功率达1200W,工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明,该放大器工作稳定,性能可靠

使用LTC运算放大器宏模型

<p> &nbsp;</p> <div> This application note is an overview discussion of theLinear Technology SPICE macromodel library. It assumeslittle if any prior knowledge of this software library or itshistory.

COOLMOS全面认识

<div> Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced &ndash; the CoolMOS&trade; . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 6

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究

摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算<BR>方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义.

COOLMOS__ICE2A系列的应用研究

<div> 由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165/2,65/365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片,其优点是:用它做开关电源,无需加散热器,在通用电网即可输出20~50W 的功率;保护功能齐全;电路结构简单;能自动降低空载时的工作频率,从而降低待机状态的损耗,故在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景。<br /> <img a

BJT与MOSFET的开关应用

<p>   本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。</p> <p>   前段时间,一同学跟我说,他用单片机做了一个简单的 LED 台灯,用 PWM的方式控制灯的亮度,但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一,我问他3V 时 LED 的发光电流是多大,他说大概十几到二十 mA,我又问他电阻多大,他说 10K&Omega;。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试

关于MOSFET应用时的散热设计方法

关于MOSFET应用时的热设计方法。

功率MOSFET的开通和关断原理

开通过程[ t0 ~ t4 ]:<br /> -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止状态,t0 时,MOSFET 被驱动开通;<br /> -- [t0-t1]区间,MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升,在t1 时刻,到达维持电压Vth,MOSFET 开始导电;<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177