MOSFET开关损耗分析
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。...
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开关电源用MOSFET的功耗计算,值得一看...
详细讲解了功率MOSFET的开通与关断时的损耗。...
该资料详细分析了功率MOS管的开关损耗,给出了详细的计算过程...
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