MOSFET开关损耗分析
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计...
开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗;关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计...
缓冲电路(Snubber Circuit)又称为吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流di/dt,减小器件的开关损耗。缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。...