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MosFet 保护

  • 三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析.

    摘要:对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析,对TLP250,EXB系列和M579系列进行了深入的讨论,给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图,还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项,对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验,通过有关的波形验证了它们的特点,最后得出结论:IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。关键词:绝缘栅双极晶体管:集成电路;过流保护1前言电力电子变换技术的发展,使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展.20世纪80年代,为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件,有人提出了绝缘门极双极型品体管(IGBT)[1].在IGBT中,用一个MoS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输,这藏产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件,它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源(UPS)和交流电机调速系统的设计中,它是日前最为常见的一种器件。

    标签: 三相逆变器 igbt 驱动电路

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:jiabin

  • MOSFET和IGBT区别

    MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素, 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外, IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路(见图1)可看出,完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾( voltage tail )出现。

    标签: mosfet igbt

    上传时间: 2022-06-21

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  • IGBT过流保护电路设计

    摘要:为解决绝缘栅双极性品体管(ICET)在实际应用中经常出现的过流击穿问题,在分析了ICET过流特性和过流检测方法的基础上,根据过流时IGBT集电极电流的大小分别设计了过载保护电路和短路保护电路。过载保护电路在检测到过载时立即关断ICBT.根据不同的过载保护要求可实现持续封锁、固定时间封锁及单周期封锁ICBT的驱动信号;短路保护电路通过检测IGBT通态压降判别短路故障,利用降栅压、软关断和降顿综合保护技术降低短路电流并安全关断IGBT,详细阐述了保护电路的保护机制及电路原理,最后对设计的所有保护电路进行了对应的过流保护测试,给出了测试波形图。试验结果表明,IGBT保护电路能及时进行过流检测并准确动作,IGBT在不同的过流情况下都得到了可靠保护关键词:绝缘栅双极性晶体管;过流保护;降棚压;软关断

    标签: igbt 过流保护

    上传时间: 2022-06-21

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  • 电子元器件系列知识—IGBT

    一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1,Q2 为驱动功率推挽放大,通过光耦隔离后的信号需通过Q1,Q2 推挽放大。选择Q1,Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时,需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大,因此IGBT 关断时,最好加一个负偏电压,且负偏电压比MOSFET 大, IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内;开通时,驱动电压最佳值为15V 10% ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和,这时通态压降也比较低,同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ,则IGBT 通态损耗较大, IGBT 处于欠压驱动状态;若 VGE >20V ,则难以实现电流的过流、短路保护,影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件,需要的驱动功率值比较小,一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ,或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压,栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为:PAV =(VGE(ON ) +VGE( off ) )* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V,VGE( off ) =10V,则 PAV 简化为: PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为:

    标签: 电子元器件 igbt

    上传时间: 2022-06-21

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  • 一种新型的IGBT短路保护电路的设计

    固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言,电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外,还对供电系统的可靠性等提出更高的要求IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件,开关频率高,广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当,它很容易损坏。一般认为IGBT损坏的主要原因有两种:一是IGBT退出饱和区而进入了放大区,使得开关损耗增大;二是IGBT发生短路,产生很大的瞬态电流,从而使IGBT损坏。IGBT的保护通常采用快速自保护的办法,即当故障发生时,关断ICBT驱动电路,在驱动电路中实现退饱和保护;或者当发生短路时,快速地关断IGBT,根据监测对象的不同,ICBT的短路保护可分为U,监测法或U..监测法,二者原理基本相似,都是利用集电极电流1e升高时U,或U.也会升高这一现象。当U2或U..超过UtU.就自动关断IGBT的驱动电路。由于U,在发生故障时基本不变,而U.的变化较大,并且当退饱和发生时,U.变化也小,难以掌握,因而在实践中一般采用U.监测技术来对ICBT进行保护。本文研究的IGBT保护电路,是通过对IGBT导通时的管压降U.进行监测来实现对IGBT的保护。

    标签: igbt 短路保护 电路设计

    上传时间: 2022-06-22

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  • 新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流,广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中,电机控制器、辅助动力系统,电动空调中,IGBT有着广泛的使用,大功率IGB多应用于电机控制器中,由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大,IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中,在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升,可通过温度传感器来进行检测,并由相应的电路来实现保护;过压一般发生在IGBT关断时,较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压,可通过采用缓冲电路来钳制,或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流,很快就会损坏1GBT,主控制板的过流保护根本来不及,必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中,保护功能设计得是否完善,对系统的安全运行尤其重要。

    标签: 新能源汽车 电机控制器 igbt

    上传时间: 2022-06-22

    上传用户:XuVshu

  • 在STVP里面解除STM8读保护.

    在STVP里面解除STM8读保护                

    标签: stvp stm8

    上传时间: 2022-06-26

    上传用户:zhaiyawei

  • 超声波发生器的研究

    自从超声科技问世以来,其发展日新月异,应用日益广泛,已经取得了良好的社会效益和经济效益。但是作为一门综合性极强的交叉学科,超声学研究与应用均起步较晚,技术状况已远远不能满足我国经济事业多领域的需求,广阔的市场前景促使我们加大研究力度。本文首先介绍了功率超声波技术的原理和发展趋势,然后详细分析了超声波设备的组成、关键技术以及设计难点,并采用三种不同的控制方案设计、制作了超声波发生器,分别应用在超声波清洗机和焊接机中。主电路使用集MOSFET和GTR的优点于一身的IGBT作为开关管,构成半桥逆变电路。通过分析超声波换能器的阻抗特性,比较换能器工作在串联谐振频率和并联谐振频率的优劣,介绍了几种匹配方式的特点,设计了匹配电路。控制电路中分别采用了锁相方式、扫频控制方式以及模糊自适应控制方式实现了对超声负载的自动频率跟踪,并且功能完善,配备了软启动、死区调节、限流、过流、驱动自保护和过热保护,有力的保障了系统长时间工作的稳定性和可靠性。最后通过实验,证明了设计的方案可靠,适应性强,样机不仅具有频率自适应功能,而且能够功率自适应,具有良好的推广应用意义。关键词:超声波发生器、阻抗特性、匹配电路、锁相环、扫频控制、模糊自适应

    标签: 超声波发生器

    上传时间: 2022-06-29

    上传用户:wangshoupeng199

  • GB/T 18655-2018 车辆、船和内燃机无线电骚扰特性 用于保护车载接收机的限值和测量方法

    GB/T 18655-2018 车辆、船和内燃机无线电骚扰特性 用于保护车载接收机的限值和测量方法

    标签: EMC 无线电

    上传时间: 2022-06-29

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  • CK3362N有感三相直流无刷电机控制芯片

    概述CK3362N/S是一款工业级有感三相直流无刷电机驱动控制IC ,其外围电路简单,低成本,应用方便;配合不同的MOSFET和电源电路,可以适配各种电压及各种功率的电机;芯片集成过流保护,堵转保护,限流驱动等多种保护控制机制。CK3362S在CK3362N基础上增加刹车且能量回馈功能。特性  工作电压范围:3.8V~5.5V· 适用于有霍尔电机· 马达升降速速度调节· 转速信号输出· 过载保护· 限流驱动· 堵载保护· 工作温度范围:-40~85度· 正反转转向控制· 转向软换向控制· 缓启动功能· 转速调节(0.02VDD~VDD线性调节)· SOP16无铅封装

    标签: ck3362n 电机控制

    上传时间: 2022-06-30

    上传用户:wangshoupeng199