将一种根据误差的大小来调节比例系数K值的单神经元PI控制器引入到逆变器的控制回路中,可以实现在线调整参数,在一定程度上不依赖于系统的模型。仿真结果表明:与常规的PI控制器相比该控制器的输出超调量较小,有一定的自适应能力,可以提高逆变电源系统的动态性能。
上传时间: 2013-10-16
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M8电源:如果想扩流使用,需要多个功率管并联,必须加均流电阻。并且同时要增加主滤波和泄放电阻。功率管多需要增加一级推动管。 液晶的连接图。【注意1脚位置】 液晶的背光接法:从液晶背后标记A和K的位置引出背光电源,接到M8V4电源板上标记LED的位置。注意有正负,反了背光不亮。 首次通电,需要调整液晶对比度才能显示,调整M8V4电源板上的5K可调。让显示清晰即可。
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上传时间: 2013-11-02
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线性卷积和线性相关的FFT算法:一 实验目的 1:掌握FFT基2时间(或基2频率)抽选法,理解其提高减少乘法运算次数提高运算速度的原理。 2:掌握FFT圆周卷积实现线性卷积的原理 二 实验内容及要求 1.对N=2048或4096点的离散时间信号x(n),试用Matlab语言编程分别以DFT和FFT计算N个频率样值X(k), 比较两者所用时间的大小。 2.对N/2点长的x(n)和N/2点长的h(n),试用Matlab语言编程实现以圆周卷积代替线性卷积,并比较圆周卷积法和直接计算线性卷积两者的运算速度。 三预做实验 1.FFT与DFT计算时间的比较 (1)FFT提高运算速度的原理 (2)实验数据与结论 2.圆周卷积代替线性卷积的有效性实验 (1)圆周卷积代替线性卷积的原理 (2)实验数据和结论 FFT提高运算速度的原理 FFT算法将长序列的DFT分解为短序列的DFT。N点的DFT先分解为2个N/2点的DFT,每个N/2点的DFT又分解为N/4点的DFT,等等。最小变换的点数即所谓的“基数”。因此,基数为2的FFT算法的最小变换(或称蝶型)是2点的DFT。一般地,对N点FFT,对应于N个输入样值,有N个频域样值与之对应。
上传时间: 2013-10-26
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由热电偶的测温原理可知,热电偶产生的热电势与热端(又称测量端)、参比端(又称冷端)的热电势有关,只有参比端温度t1 为零或恒定不变,热电势才是热端温度的单值函数(见图1)。如果不补偿的话,则热电偶的参比端温度与仪表接线端温度t2间的温差t1-t2越大,测量误差也越大。由于大多数热电偶的热电势与温度的关系近似线性,所以造成的测量误差大致等于上述温差。以K 分度号的镍铬-镍硅热电偶为例,当t1=50℃,t2=20℃时,如热端温度为1000℃,则显示温度仅969℃,误差达31℃。
上传时间: 2013-10-15
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D&K电子工作室最新推出的Sunny号STM32开发板的硬件说明书。预计10月份下旬开卖,欢迎关注。。
上传时间: 2014-12-25
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当执行机构需要的不是控制量的绝对值,而是控制量的增量(例如去驱动 步进电动机)时,需要用PID的“增量算法”。 增量式PID控制算法可以通过(2-4)式推导出。由(2-4)可以得到控制器 的第k-1个采样时刻的输出值为:
上传时间: 2013-10-11
上传用户:waizhang
摘要:介绍采用1f1的MSP430F133为主控芯片的温控仪的软、硬件设计。该温控仪同时兼容PtlO0热电阻和K、E型热电偶,软件采用改进的增量型PID控制方式,并带有参数自整定功能和简单的模糊PID参数校正功能。硬软件设计上充分考虑了抗干扰的措施,可以在恶劣环境中使用。测量温度范围为0—6OO℃,控制精度为±1℃。关键词:MSP430F133;温控仪;热电偶;模糊PID
上传时间: 2013-10-20
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摘要:本文详细叙述了基于FPGA及单片机K实现时码终端系统的设计方法,该系统可用于对国际通用时间格式码IRIG码(简称B码)的解调,以及产生各种采样、同步频率信号,也可作为其它系统的时基和采样、同步信号的基准。关键词:单片机;IRIG-B格式码;FPGA;解调;控制;接口
上传时间: 2013-12-16
上传用户:CSUSheep
单片机系统的工作原理设计 单片机应用系统的存储器扩充单片机应用系统的存储器扩充单片机应用系统的开关量输入...电路工作原理-接点K开启,电源Vdd经电阻R1,R2和R3,向光二极管提供电流,光敏三...
上传时间: 2013-11-07
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SDRAM的原理和时序 SDRAM内存模组与基本结构 我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现,为什么要做成这种形式呢?这首先要接触到两个概念:物理Bank与芯片位宽。1、 物理Bank 传统内存系统为了保证CPU的正常工作,必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数 据容量就是CPU数据总线的位宽,单位是bit(位)。当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽 等同于CPU数据总线的位宽,而这个位宽就称之为物理Bank(Physical Bank,下文简称P-Bank)的位宽。所以,那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。资格稍老的玩家应该还记 得Pentium刚上市时,需要两条72pin的SIMM才能启动,因为一条72pin -SIMM只能提供32bit的位宽,不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后,才可以使用一条内存开机。不过要强调一点,P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念,RDRAM中将以通道(Channel)取代,而对 于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统,传统的P-Bank概念也不适用。2、 芯片位宽 上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽,才能使CPU正常工作,那么这个P-Bank位宽怎么得到呢 ?这就涉及到了内存芯片的结构。 每个内存芯片也有自己的位宽,即每个传输周期能提供的数据量。理论上,完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Ban k的需要,但这对技术的要求很高,在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的SDRAM芯片 位宽最高也就是16bit,常见的则是8bit。这样,为了组成P-Bank所需的位宽,就需要多颗芯片并联工作。对于16bi t芯片,需要4颗(4×16bit=64bit)。对于8bit芯片,则就需要8颗了。以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。P-Bank其实就是一组内存芯片的集合,这个集合的容量不限,但这个集合的 总位宽必须与CPU数据位宽相符。随着计算机应用的发展,
上传时间: 2013-11-04
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