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MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。...

📅 2013-12-09

三极管,MOS管样本...

📅 2013-04-15

实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用...

📅 2013-06-13

实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用...

📅 2013-06-08

MOS运算放大器-原理、设计与应用...

📅 2013-07-17

专辑类----元器件样本专辑三极管,MOS管-样本-150M.rar...

📅 2013-06-17

专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G MOS运算放大器-原理、设计与应用-235页-5.0M.pdf...

📅 2013-04-24

晶闸管-可控硅专辑-14册-131M 实用晶闸管电路大全-SCR-MOS-GTR-IGBT应用-481页-11.3M.pdf...

📅 2013-07-16

专辑类-元器件样本专辑-116册-3.03G 三极管-MOS管-样本-150M.zip...

📅 2013-04-24

mos运算放大器——原理设计应用，李联，复旦大学，详细论述了CMOS即成运算放大器的工作原理和设计方法...

📅 2013-04-24

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