In2O3

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用共沉淀法制备了Mg2 + 掺杂的In2O3 纳米粉,研究了镁掺杂对In2O3 电导和气敏性能的影响. 结果表明: MgO 和In2O3 间可形成有限固溶体In2 - xMgxO3 (0 ≤x ≤0.

2024-01-26 6 In2O3

本文以In2O 3 及其混合物为敏感材料, 采用悬浮栅结构和功函数方法, 研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O 3 传感器, 并给出传感器对O 3 响应曲线以及实验结果的理论分析等.关

2024-05-16 3 In2O3