GaN-FET
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一种基于大功率FET的数控直流电流源设计
系统采用ATME189S52 为微控制器(MCE)核心,实现了可控的恒定直流电流源设计。核心恒流模块采用自反馈电路连接大功率场效应管IRFZ44NL,使得电流输出范围达到20~2000
2013-07-05
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一种基于大功率FET的数控直流电流源设计
系统采用ATME189S52 为微控制器(MCE)核心,实现了可控的恒定直流电流源设计。核心恒流模块采用自反馈电路连接大功率场效应管IRFZ44NL,使得电流输出范围达到20~2000
2023-10-25
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半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN SiC)材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求...
2022-01-03
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采用S-FET技术的100V MOS晶体管的介绍及应用说明
Thanks to versions in the SO-8, SOT-223, DPAK and TO-220 packages,this technology has now
2024-03-15
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第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
作者:何亮,刘扬论文摘要:氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ,非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ,具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 ...
2021-12-08
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OPA124系列低输入电流FET运算放大器与开关型积分器的噪声性能的比较
Low-input current FET operational amplifiers are universallyused to monitor photodetector, or mo
2024-03-07
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