GaN MMIC
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GaN MMIC 热门资料
查看全部 22 份 →Si衬底GaN基材料及器件的研究
GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且...
GaAs+MMIC宽带低相移数控衰减器芯片的研究
宽带数控衰减器是微波T/R系统中的核心电路。体积小、重量轻、可靠性高等优点使得微波单片数控衰减器已经广泛应用在军民各个领域。本文介绍了宽带数控衰减器的工作原理、电路设计以及测试技术。本数控衰减器芯片采用PHEMT材料和MMIC工艺,电路和电...
基于DSP和MMIC的车载微波探测雷达研究与设计
·摘要: 为解决汽车追尾相撞问题,提出了一种DSP+MMIC架构的便携式车载雷达系统的设计方案.简要介绍了车载雷达的工作原理,并以TMS320VC5402 和 DZ9861为例,结合其软硬件实现,验证了此设计的可行性和实用性,效...
GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分,介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围,然后根据实验分析了TEM图片...
基于GaN器件射频功率放大电路的设计
本文主要是基于氮化锌(GaN)器件射频功率放大电路的设计,在s波段频率范围内,应用CREE公司的氮化稼(GaN)高电子迁移速率品体管(CGH40010和CGH40045)进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面:首先,设计功放匹配...