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GaAs+MMIC宽带低相移数控衰减器芯片的研究

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分享作者 jason_vip1

发布日期 2023-09-13

资料详细技术说明

宽带数控衰减器是微波T/R系统中的核心电路。体积小、重量轻、可靠性高等优点使得微波单片数控衰减器已经广泛应用在军民各个领域。

本文介绍了宽带数控衰减器的工作原理、电路设计以及测试技术。本数控衰减器芯片采用PHEMT材料和MMIC工艺，电路和电磁场仿真相结合的设计方法，实现高衰减精度、低附加相移等微波性能。

GaAs MMIC数控衰减器单片的主要技术指标为：工作频率：DC~20GHz；衰减位：5位；插入损耗<5.0dB；衰减精度：0.5dB

±0.15dB，1dB±0.2dB，2dB±0.2dB，4dB±0.25dB，8dB±0.6dB：衰减附加相移<±3.；驻波比<1.5：1；开关时间S10ns.

关键词：微波单片集成电路数控衰减器衰减精度附加相移