资源详细信息
GaAs+MMIC宽带低相移数控衰减器芯片的研究 - 资源详细说明
宽带数控衰减器是微波T/R系统中的核心电路。体积小、重量轻、可靠性高等优点使得微波单片数控衰减器已经广泛应用在军民各个领域。
本文介绍了宽带数控衰减器的工作原理、电路设计以及测试技术。本数控衰减器芯片采用PHEMT材料和MMIC工艺，电路和电磁场仿真相结合的设计方法，实现高衰减精度、低附加相移等微波性能。
GaAs MMIC数控衰减器单片的主要技术指标为：工作频率：DC~20GHz；衰减位：5位；插入损耗<5.0dB；衰减精度：0.5dB
±0.15dB，1dB±0.2dB，2dB±0.2dB，4dB±0.25dB，8dB±0.6dB：衰减附加相移<±3.；驻波比<1.5：1；开关时间S10ns.
关键词：微波单片集成电路 数控衰减器 衰减精度 附加相移
立即下载 GaAs+MMIC宽带低相移数控衰减器芯片的研究
提示：下载后请用压缩软件解压，推荐使用 WinRAR 或 7-Zip
下载说明与使用指南
下载说明
- 本资源需消耗 2积分
- 24小时内重复下载不扣分
- 支持断点续传功能
- 资源永久有效可用
使用说明
- 下载后使用解压软件解压
- 推荐使用 WinRAR 或 7-Zip
- 如有密码请查看资源说明
- 解压后即可正常使用
积分获取方式
- 上传优质资源获得积分
- 每日签到免费领取积分
- 邀请好友注册获得奖励
- 查看详情 →